IRFB18N50K

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFB18N50K	3	364.45

Версия для печати

Технические характеристики IRFB18N50K

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	290 mOhm @ 10A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	17A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	120nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2830pF @ 25V
Power - Max	220W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFB18N50K (N-канальные транзисторные модули)

Power MOSFET

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRFB18N50K datasheet
86.13Kb
8стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
AQW214SX		PAN
AQW214SX		Panasonic Electric Works
AQW214SX
LM5007MM		NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM5007MM		NSC
LM5007MM				347.08
LM5007MM		NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM5007MM		TEXAS INSTRUMENTS
LM5007MM		TEXAS
LM5007MM		TEXAS INSTRUMENTS	26
LM5007MM		4-7 НЕДЕЛЬ	345
PC817	Оптопаpа CTR 50%(5mA), Vce=35V	SHARP
PC817	Оптопаpа CTR 50%(5mA), Vce=35V		4	20.35
PC817	Оптопаpа CTR 50%(5mA), Vce=35V	SHARP
PC817	Оптопаpа CTR 50%(5mA), Vce=35V	КИТАЙ
PC817	Оптопаpа CTR 50%(5mA), Vce=35V	FAIRCHILD
PC817	Оптопаpа CTR 50%(5mA), Vce=35V	4-7 НЕДЕЛЬ	281
SDR0604-101KL	Индуктивность 100мкГн SMD 5,8x4,8mm	BOURNS	12	17.56
SDR0604-101KL	Индуктивность 100мкГн SMD 5,8x4,8mm			60.00
SDR0604-101KL	Индуктивность 100мкГн SMD 5,8x4,8mm	ВОURNS
SK100M0220B5S-1325	Электролитический алюминиевый конденсатор 220 мкФ 100 В	YAGEO
SK100M0220B5S-1325	Электролитический алюминиевый конденсатор 220 мкФ 100 В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
SK100M0220B5S-1325	Электролитический алюминиевый конденсатор 220 мкФ 100 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)