GRM188R60J475KE19D

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
GRM188R60J475KE19D (MURATA.)	14 932	3-4 недели Цена по запросу
GRM188R60J475KE19D (MUR)	194 133	1.64
GRM188R60J475KE19D	16	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики GRM188R60J475KE19D

Температурный коэфициент	X5R
Номинальное напряжение	6.3 В
Емкость	4.7 мкФ
Серия	GRM
Корпус (размер)	0603
Тип монтажа	Поверхностный
Тип	Керамический
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Допустимые отклонения емкости	±10%
Tolerance	±10%
Рабочая температура	-55°C ~ 85°C
Сфера применения	General Purpose
Size / Dimension	0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Thickness	0.035" (0.90mm)

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
ADG823BRMZ		ANALOG DEVICES
ADG823BRMZ
ADG823BRMZ		ANALOG
ADG823BRMZ		Analog Devices Inc
ADG823BRMZ
ADG823BRMZ		4-7 НЕДЕЛЬ	131
ADG823BRMZ		ADI
GRM188R71H152KA01D		MURATA
GRM188R71H152KA01D		MURATA	4 128
GRM188R71H152KA01D		Murata Electronics North America
GRM188R71H152KA01D		MUR	71 964	0.75 >1000 шт. 0.15
GRM188R71H152KA01D
H1102NLT		PUL
H1102NLT		PULSE ENGINEERING
H1102NLT				376.00
H1102NLT		PULSE ENGINEERING
H1102NLT		PULSE ELECTRONICS CORPORATION
H1102NLT		PULSE ELECTRONICS	22
H1102NLT		PULSE	1	56.22
H1102NLT		1
RC0603FR-1312K1		YAGEO
RC0603FR-1312K1		YAGEO
КТ603Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN		1 256	49.19
КТ603Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN	МИНСК
КТ603Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN	ПЛАНЕТА	5 575	53.00
КТ603Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN	ВОРОНЕЖ
КТ603Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN	RUS