IRF8313TRPBF
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.5 mOhm @ 9.7A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 9.7A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 9nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 760pF @ 15V |
| Power - Max | 2W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BAT54HT1G | FAIR |
|
|
|||||
| BAT54HT1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| BAT54HT1G | FAIRCHILD |
|
|
|||||
| BAT54HT1G | FAIRCHILD |
|
|
|||||
| BAT54HT1G | ON SEMICONDUCTOR | 3 238 |
|
|||||
| BAT54HT1G | Fairchild Semiconductor |
|
|
|||||
| BAT54HT1G |
|
|
||||||
| BAT54HT1G | ONS |
|
|
|||||
| BAT54HT1G | ONS-FAIR |
|
|
|||||
| BAT54HT1G | FUXIN | 28 352 | 2.18 | |||||
 |
 |
SF-0603F100-2 |
|
Bourns Inc |
|
|
||
|
|
|
SF-0603F100-2 |
|
BOURNS |
|
|
||
|
|
|
SF-0603F100-2 |
|
|
|
|||
| STM32L412RBT6 | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| STM32L412RBT6 |
|
|
||||||
| STM32L412RBT6 | 4-7 НЕДЕЛЬ |
|
|
|||||
| ОНЦ-БС-2-10/14-В1-2-В |
|
|
||||||
 |
|
ОНЦ-БС-2-7/12-В1-1-В |
|
Вилка ОНЦ-БС2 приборная без кожуха, 7 контактов покрытие золото | 9 | 5 809.15 | ||
|
|
|
ОНЦ-БС-2-7/12-В1-1-В |
|
Вилка ОНЦ-БС2 приборная без кожуха, 7 контактов покрытие золото | ЭЛЕКОН |
|
|
|
|
|
|
ОНЦ-БС-2-7/12-В1-1-В |
|
Вилка ОНЦ-БС2 приборная без кожуха, 7 контактов покрытие золото | ЭЛКОН |
|
|
