МЛТ - 0.25 ВТ 1.2 КОМ 5%

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
0805 X7R 0.1UF 50V 10% (К10-17 0.1МКФ)	Конденсатор чип 50В, 0,1мкФ, 10%, X7R
КР1157ЕН902А			804	7.44
КР1157ЕН902А		ДАЛЕКС	2	1.50 >100 шт. 0.75
КР1157ЕН902А		БРЯНСК
КР1157ЕН902А		АЛЕКСАНДРОВ
КР1157ЕН902А		3
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный		183	22.68
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	КРЕМНИЙ	880	17.18
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	БРЯНСК	171	14.88
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	МИНСК	3 016	14.88
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	ВОРОНЕЖ
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	ТРАНЗИСТОР	3	7.85
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	115
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	1872
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	420
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	558
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	6
КТ315Г1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	4
МЛТ - 0.25 ВТ 220 ОМ 5%
МЛТ - 2 ВТ 13 КОМ 5%			288	5.04