Версия для печати
Технические характеристики MB1510

Тип монтажа	Выводной
Скорость	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Diode Type	Single Phase
Current - DC Forward (If)	15A
Voltage - Peak Reverse (Max)	1000V
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Корпус (размер)	MB-35W
Корпус	MB-35W

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Диоды

 » 

Диодные мосты

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный		267	22.68
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	КРЕМНИЙ	880	17.18
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	БРЯНСК	171	14.32
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	МИНСК	3 112	14.32
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	ВОРОНЕЖ
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	ИНТЕГРАЛ
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	ТРАНЗИСТОР	3	7.85
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	115
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	1872
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	420
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	558
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	6
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	4
		КТ361Д1				12 745	1.86
		КТ361Д1			RUS
		КТ361Д1			ТОМСК
		МЛТ - 0.25 ВТ 1.2 КОМ 5%
		МЛТ - 2 ВТ 13 КОМ 5%				288	5.04
		МЛТ - 2 ВТ 6.2 КОМ 10%				1 692	4.70

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"