IRG4BC20UD
Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 13A, 60W (Ultrafast)
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 6.5A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 13A |
| Power - Max | 60W |
| Тип входа | Standard |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRG4BC20UD-S (Дискретные сигналы) Insulated Gate Bipolar Transistor
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2С107А | 1 316 | 7.40 | |||||
|
|
2С107А | НЗПП | 352 | 17.56 | ||||
|
|
2С107А | НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП |
|
|
||||
|
|
2С107А | НОВОСИБИРСК | 2 014 | 8.40 | ||||
|
|
2С107А | RUS |
|
|
||||
 |
KBL08 |
|
Диодный мост 4А 800В KBL | DC COMPONENTS |
|
|
||
|
|
KBL08 |
|
Диодный мост 4А 800В KBL | MASTER INSTRUMENT CO | 4 | 35.37 | ||
|
|
KBL08 |
|
Диодный мост 4А 800В KBL | FAIR |
|
|
||
|
|
KBL08 |
|
Диодный мост 4А 800В KBL | FAIRCHILD |
|
|
||
|
|
KBL08 |
|
Диодный мост 4А 800В KBL |
|
52.00 | |||
|
|
KBL08 |
|
Диодный мост 4А 800В KBL | FAIRCHILD |
|
|
||
|
|
KBL08 |
|
Диодный мост 4А 800В KBL | Fairchild Semiconductor |
|
|
||
|
|
KBL08 |
|
Диодный мост 4А 800В KBL | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
||
|
|
KBL08 |
|
Диодный мост 4А 800В KBL | KINGTRONICS |
|
|
||
|
|
KBL08 |
|
Диодный мост 4А 800В KBL | SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD | 1 326 | 35.79 | ||
|
|
KBL08 |
|
Диодный мост 4А 800В KBL | HOTTECH | 1 656 | 22.19 | ||
|
|
KBL08 |
|
Диодный мост 4А 800В KBL | 0.00 |
|
|
||
 |
W10 |
|
Мост 1.5А,1000В |
|
|
|||
|
|
W10 |
|
Мост 1.5А,1000В | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
||
|
|
W10 |
|
Мост 1.5А,1000В | KINGTRONICS |
|
|
||
| МЛТ-1-4,7 ОМ-5% | 68 | 7.56 | ||||||
| МЛТ-1-8,2 ОМ-5% | 800 | 5.55 |
