Версия для печати
Технические характеристики IRG4BC20UD

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 6.5A
Current - Collector (Ic) (Max)	13A
Power - Max	60W
Тип входа	Standard
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

IRG4BC20UD-S (Дискретные сигналы) Insulated Gate Bipolar Transistor Производитель: International Rectifier //www.irf.com IRG4BC20UD datasheet 237.03Kb 11стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

IGBT - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		IR2101		PBF, H/L прямой драйвер 600В, 130мА, DIP8	INTERNATIONAL RECTIFIER	80	253.76
		IR2101		PBF, H/L прямой драйвер 600В, 130мА, DIP8			119.28
		IR2101		PBF, H/L прямой драйвер 600В, 130мА, DIP8	ТАИЛАНД
		IR2101		PBF, H/L прямой драйвер 600В, 130мА, DIP8	INFINEON
		IR2101		PBF, H/L прямой драйвер 600В, 130мА, DIP8	1
		IR2101		PBF, H/L прямой драйвер 600В, 130мА, DIP8	4-7 НЕДЕЛЬ	740
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный		431	13.62
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	КРЕМНИЙ	80	16.40
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	БРЯНСК	171	16.96
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	МИНСК	3 272	16.96
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	ВОРОНЕЖ
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	ИНТЕГРАЛ
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	ТРАНЗИСТОР	3	9.23
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	115
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	1872
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	420
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	558
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	6
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	4
		КТ361Д1				12 745	1.85
		КТ361Д1			RUS
		КТ361Д1			ТОМСК
		МЛТ - 2 ВТ 13 КОМ 5%				288	5.04
		МЛТ - 2 ВТ 6.2 КОМ 10%				1 692	4.70

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"