| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
IRFP32N50K |
|
N-канальный MOSFET транзистор 20А, 500В, 460Вт
|
VISHAY
|
3
|
231.99
|
|
|
|
|
IRFP32N50K |
|
N-канальный MOSFET транзистор 20А, 500В, 460Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRFP32N50K |
|
N-канальный MOSFET транзистор 20А, 500В, 460Вт
|
|
|
|
|
|
|
|
IRFP32N50K |
|
N-канальный MOSFET транзистор 20А, 500В, 460Вт
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
|
IRFP32N50K |
|
N-канальный MOSFET транзистор 20А, 500В, 460Вт
|
4
|
|
|
|
|
|
|
MCR100-8G |
|
Тиристор 600В 0,8А
|
ON SEMICONDUCTOR
|
3 720
|
9.30
|
|
|
|
|
MCR100-8G |
|
Тиристор 600В 0,8А
|
|
1 600
|
3.24
|
|
|
|
|
MCR100-8G |
|
Тиристор 600В 0,8А
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MCR100-8G |
|
Тиристор 600В 0,8А
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MCR100-8G |
|
Тиристор 600В 0,8А
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
MCR100-8G |
|
Тиристор 600В 0,8А
|
LITTELFUSE
|
|
|
|
|
|
|
MCR100-8G |
|
Тиристор 600В 0,8А
|
4671
|
|
|
|
|
|
|
К561ЛЕ5 |
|
4 логических элемента 2ИЛИ-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
|
|
32.80
|
|
|
|
|
К561ЛЕ5 |
|
4 логических элемента 2ИЛИ-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
ЗПП
|
|
|
|
|
|
|
К561ЛЕ5 |
|
4 логических элемента 2ИЛИ-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
АЗОН
|
|
|
|
|
|
|
К561ЛЕ5 |
|
4 логических элемента 2ИЛИ-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
ВИННИЦА
|
|
|
|
|
|
|
К561ЛЕ5 |
|
4 логических элемента 2ИЛИ-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
МИНСК
|
31
|
40.92
|
|
|
|
|
К561ЛЕ5 |
|
4 логических элемента 2ИЛИ-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
К561ЛЕ5 |
|
4 логических элемента 2ИЛИ-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
БИЛЛУР
|
|
|
|
|
|
|
К561ЛЕ5 |
|
4 логических элемента 2ИЛИ-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
ПАВЛОВ ПОСАД
|
|
|
|
|
|
|
К561ЛЕ5 |
|
4 логических элемента 2ИЛИ-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
К561ЛЕ5 |
|
4 логических элемента 2ИЛИ-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
МИОН
|
|
|
|
|
|
|
К561ЛЕ5 |
|
4 логических элемента 2ИЛИ-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
НОВОСИБИРСК
|
|
|
|
|
|
|
К561ЛЕ5 |
|
4 логических элемента 2ИЛИ-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
К561ЛЕ5 |
|
4 логических элемента 2ИЛИ-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
ЭКСИТОН
|
|
|
|
|
|
|
К561ЛЕ5 |
|
4 логических элемента 2ИЛИ-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
АНГСТРЕМ
|
|
|
|
|
|
|
К561ЛЕ5 |
|
4 логических элемента 2ИЛИ-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
БИЛУР
|
|
|
|
|
|
|
К561ЛЕ5 |
|
4 логических элемента 2ИЛИ-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
|
К561ЛЕ5 |
|
4 логических элемента 2ИЛИ-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
ОКТЯБРЬ
|
384
|
96.09
|
|
|
|
|
КВ109А |
|
2.2-2.7 пФ, добротность 300, 28 В, 10МГц
|
|
2
|
11.34
|
|
|
|
|
КВ109А |
|
2.2-2.7 пФ, добротность 300, 28 В, 10МГц
|
ДНЕПР
|
|
|
|
|
|
|
КТ818А |
|
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...
|
|
1 036
|
35.34
|
|
|
|
|
КТ818А |
|
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...
|
КРЕМНИЙ
|
80
|
65.59
|
|
|
|
|
КТ818А |
|
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...
|
БРЯНСК
|
40
|
14.88
|
|
|
|
|
КТ818А |
|
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ818А |
|
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...
|
УЛЬЯНОВСК
|
106
|
18.60
|
|
|
|
|
КТ818А |
|
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ818А |
|
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...
|
УРЛЗ
|
8
|
41.38
|
|
|
|
|
КТ818А |
|
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
|
КТ818А |
|
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...
|
2
|
|
|
|
Версия для печати
