| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC
|
220 424
|
1.36
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DC COMPONENTS
|
107 121
|
1.36
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
|
61 271
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
325
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LI-SION TECHNOLOGY INC.
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
4 345
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
27 200
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
3 467
|
1.68
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
INFINEON
|
800
|
4.91
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECH
|
403 265
|
1.74
>100 шт. 0.87
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ARK
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KLS
|
568
|
1.88
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NEXPERIA
|
333 826
|
1.19
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SEMTECH
|
336
|
1.37
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PJ
|
6 378
|
1.22
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE
|
2 039 949
|
1.50
>500 шт. 0.50
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YJ
|
1 480 277
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JSCJ
|
220 948
|
1.64
>100 шт. 0.82
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR
|
67 200
|
1.03
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SUNTAN
|
66 566
|
1.64
>100 шт. 0.82
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JINGDAO
|
18 144
|
1.30
>100 шт. 0.65
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECCN
|
1 710
|
1.68
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
CJ
|
8 000
|
5.12
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEEN SIDE
|
239 470
|
1.32
>500 шт. 0.44
|
|
|
|
|
BCX53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт
|
NXP
|
6 612
|
4.84
|
|
|
|
|
BCX53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BCX53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт
|
|
15 696
|
2.42
|
|
|
|
|
BCX53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BCX53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт
|
PHILIPS
|
160
|
|
|
|
|
|
BCX53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт
|
ГОНКОНГ
|
|
|
|
|
|
|
BCX53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
BCX53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
320
|
13.50
|
|
|
|
|
BCX53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт
|
HOTTECH
|
17 976
|
5.86
|
|
|
|
|
BCX53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт
|
0.00
|
|
|
|
|
|
|
BCX53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт
|
DIOTEC
|
3 760
|
8.11
|
|
|
|
|
BCX53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
|
BCX53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт
|
YJ
|
55 632
|
3.22
|
|
|
|
|
BCX53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт
|
KOME
|
1 155
|
4.73
|
|
|
|
|
BCX53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт
|
SUNTAN
|
119
|
2.89
|
|
|
|
|
BCX53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт
|
XSEMI
|
1 248
|
4.32
|
|
|
|
|
BCX53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт
|
NXP/NEXPERIA
|
4 736
|
6.16
|
|
|
|
|
BCX53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт
|
KEEN SIDE
|
732
|
2.23
|
|
|
|
|
CC0805JRX7R9BB223 |
|
Керамический конденсатор 0.022 мкФ 50 В
|
YAGEO
|
76 348
|
1.08
>100 шт. 0.54
|
|
|
|
|
CC0805JRX7R9BB223 |
|
Керамический конденсатор 0.022 мкФ 50 В
|
|
|
|
|
|
|
|
RC1206JR-075K1L |
|
|
YAGEO
|
110 300
|
0.80
>1000 шт. 0.16
|
|
|
|
|
RC1206JR-075K1L |
|
|
YAGEO
|
3 636
|
|
|
|
|
|
RC1206JR-075K1L |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
DIC
|
|
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
SMK
|
104
|
4.42
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
DC COMPONENTS
|
11 024
|
1.44
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
SEMICRON
|
|
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
|
14 400
|
1.86
>100 шт. 0.93
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
4 400
|
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
YJ
|
82 914
|
1.74
>100 шт. 0.87
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
HOTTECH
|
85 242
|
1.03
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
PANJIT
|
284
|
7.43
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
SUNTAN
|
48
|
1.70
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
ASEMI
|
80
|
1.31
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
SUNMATE
|
14 208
|
1.82
>100 шт. 0.91
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
KEEN SIDE
|
4 720
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
MIC
|
872
|
1.48
>100 шт. 0.74
|
|