| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
1
|
11.61
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC
|
225 607
|
2.61
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DC COMPONENTS
|
37 723
|
3.01
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
|
31 647
|
1.50
>500 шт. 0.50
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
325
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LI-SION TECHNOLOGY INC.
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
4 345
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
27 200
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
3 467
|
1.49
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
INFINEON
|
800
|
5.47
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECH
|
1 239 532
|
1.18
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ARK
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KLS
|
426
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NEXPERIA
|
60 083
|
1.38
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SEMTECH
|
220
|
1.59
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PJ
|
2 863
|
2.56
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE
|
1 432 151
|
1.14
>100 шт. 0.57
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YJ
|
247 704
|
2.51
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JSCJ
|
95 531
|
3.86
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR
|
221 600
|
1.26
>100 шт. 0.63
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SUNTAN
|
4
|
1.32
>500 шт. 0.44
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JINGDAO
|
8 384
|
1.02
>500 шт. 0.34
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECCN
|
1 686
|
1.49
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
CJ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEEN SIDE
|
110 947
|
1.50
>500 шт. 0.50
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
2138
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
4334
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
19480
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
22054
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
643
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
1054
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
543
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGZHOUYANGJIEEL
|
591 116
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
|
BCX53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт
|
NXP
|
4 782
|
7.44
|
|
|
|
|
BCX53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BCX53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт
|
|
13 600
|
2.24
|
|
|
|
|
BCX53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BCX53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт
|
PHILIPS
|
160
|
|
|
|
|
|
BCX53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт
|
ГОНКОНГ
|
|
|
|
|
|
|
BCX53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
BCX53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
320
|
15.55
|
|
|
|
|
BCX53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт
|
HOTTECH
|
24 785
|
5.87
|
|
|
|
|
BCX53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт
|
0.00
|
|
|
|
|
|
|
BCX53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт
|
DIOTEC
|
1 368
|
9.33
|
|
|
|
|
BCX53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт
|
ASEMI
|
3 520
|
3.18
|
|
|
|
|
BCX53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт
|
YJ
|
52 649
|
3.89
|
|
|
|
|
BCX53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт
|
KOME
|
440
|
5.03
|
|
|
|
|
BCX53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт
|
SUNTAN
|
45
|
3.07
|
|
|
|
|
BCX53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт
|
XSEMI
|
|
|
|
|
|
|
BCX53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт
|
NXP/NEXPERIA
|
40
|
6.56
|
|
|
|
|
BCX53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт
|
KEEN SIDE
|
|
|
|
|
|
|
BCX53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт
|
2000
|
|
|
|
|
|
|
BCX53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт
|
3265
|
|
|
|
|
|
|
BCX53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт
|
12900
|
|
|
|
|
|
|
RC1206JR-07330RL |
|
|
YAGEO
|
276 748
|
1.07
|
|
|
|
|
RC1206JR-07330RL |
|
|
YAGEO
|
94 285
|
|
|
|
|
|
RC1206JR-07330RL |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
RC1206JR-0751RL |
|
|
YAGEO
|
54 837
|
1.09
|
|
|
|
|
RC1206JR-0751RL |
|
|
YAGEO
|
2 582
|
|
|
|
|
|
RC1206JR-0751RL |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
DIC
|
|
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
SMK
|
11
|
10.34
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
DC COMPONENTS
|
6 721
|
1.70
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
SEMICRON
|
|
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
|
14 000
|
1.56
>100 шт. 0.78
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
4 400
|
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
YJ
|
70 879
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
HOTTECH
|
62 887
|
1.03
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
PANJIT
|
244
|
7.91
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
SUNTAN
|
48
|
1.80
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
ASEMI
|
80
|
1.56
>100 шт. 0.78
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
SUNMATE
|
3 256
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
KEEN SIDE
|
3 920
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
MIC
|
|
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
293
|
|
|
|