| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC
|
311 892
|
1.27
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DC COMPONENTS
|
77 100
|
1.29
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
|
52 711
|
1.36
>100 шт. 0.68
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
325
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LI-SION TECHNOLOGY INC.
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
4 345
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
27 200
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
3 467
|
1.70
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
INFINEON
|
800
|
5.47
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECH
|
283 626
|
1.29
>500 шт. 0.43
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ARK
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KLS
|
554
|
1.54
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NEXPERIA
|
265 862
|
1.19
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SEMTECH
|
220
|
1.33
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PJ
|
6 378
|
1.19
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE
|
1 929 294
|
1.02
>100 шт. 0.51
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YJ
|
1 067 404
|
1.04
>100 шт. 0.52
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JSCJ
|
188 681
|
1.60
>100 шт. 0.80
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR
|
96 000
|
1.03
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SUNTAN
|
487
|
1.17
>500 шт. 0.39
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JINGDAO
|
15 744
|
1.12
>100 шт. 0.56
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECCN
|
1 710
|
1.70
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
CJ
|
8 000
|
4.46
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEEN SIDE
|
206 564
|
1.35
>500 шт. 0.45
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
2138
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
4334
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ASEMI
|
477 576
|
1.29
>500 шт. 0.43
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
NXP
|
800
|
8.59
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DC COMPONENTS
|
30 992
|
1.59
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
ITT SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DIOTEC
|
1 556
|
2.95
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DI
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
ITT SEMICONDUCTOR
|
2 181
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
NXP SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
|
4
|
2.52
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
HOTTECH
|
381 760
|
1.17
>500 шт. 0.39
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DCCOMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
SUNTAN
|
138 306
|
1.46
>100 шт. 0.73
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
YJ
|
223 623
|
1.70
>100 шт. 0.85
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
TRR
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
1
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
KEFAN
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
SLKOR
|
193 383
|
1.08
>500 шт. 0.36
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
NEXPERIA
|
38 640
|
1.34
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
PLINGSEMIC
|
154 892
|
1.41
>500 шт. 0.47
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
KEEN SIDE
|
778
|
1.16
>100 шт. 0.58
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
MERRYELC
|
214 760
|
1.17
>500 шт. 0.39
|
|
|
|
|
RC1206JR-07330RL |
|
|
YAGEO
|
510 202
|
0.80
>1000 шт. 0.16
|
|
|
|
|
RC1206JR-07330RL |
|
|
YAGEO
|
94 285
|
|
|
|
|
|
RC1206JR-07330RL |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
RC1206JR-075K1L |
|
|
YAGEO
|
171 173
|
0.80
>1000 шт. 0.16
|
|
|
|
|
RC1206JR-075K1L |
|
|
YAGEO
|
3 636
|
|
|
|
|
|
RC1206JR-075K1L |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
DIC
|
|
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
SMK
|
104
|
3.28
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
DC COMPONENTS
|
7 773
|
1.77
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
SEMICRON
|
|
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
|
14 000
|
1.92
>100 шт. 0.96
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
4 400
|
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
YJ
|
75 893
|
1.50
>100 шт. 0.75
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
HOTTECH
|
80 738
|
1.03
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
PANJIT
|
252
|
6.99
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
SUNTAN
|
48
|
1.60
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
ASEMI
|
80
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
SUNMATE
|
5 472
|
1.18
>100 шт. 0.59
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
KEEN SIDE
|
4 720
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
MIC
|
872
|
1.48
>100 шт. 0.74
|
|