Версия для печати
Технические характеристики IRLML2803TRPBF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	250 mOhm @ 910mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	1.2A
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	85pF @ 25V
Power - Max	540mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	Micro3™/SOT-23

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		0805 6.8КОМ 0.1ВТ 5%			TAIWAN
		0805 6.8КОМ 0.1ВТ 5%			UNIOHM
		0805 6.8КОМ 0.1ВТ 5%
		ADUM1201ARZ		2 канала, пр/обр канал=1/1, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...	ANALOG DEVICES
		ADUM1201ARZ		2 канала, пр/обр канал=1/1, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...	ANALOG
		ADUM1201ARZ		2 канала, пр/обр канал=1/1, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...			424.00
		ADUM1201ARZ		2 канала, пр/обр канал=1/1, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...	Analog Devices Inc
		ADUM1201ARZ		2 канала, пр/обр канал=1/1, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...	США
		ADUM1201ARZ		2 канала, пр/обр канал=1/1, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		ADUM1201ARZ		2 канала, пр/обр канал=1/1, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		ADUM1201ARZ		2 канала, пр/обр канал=1/1, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...	ANALOG DEVICES	9
		ADUM1201ARZ		2 канала, пр/обр канал=1/1, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...	AD1
		ADUM1201ARZ		2 канала, пр/обр канал=1/1, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...	JSMICRO	288	76.07
		ADUM1201ARZ		2 канала, пр/обр канал=1/1, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...	4-7 НЕДЕЛЬ	102
		GRM2165C1H221JA01D		Керамический конденсатор 220 пФ 50 В	MURATA	8 934	1.31
		GRM2165C1H221JA01D		Керамический конденсатор 220 пФ 50 В	MURATA
		GRM2165C1H221JA01D		Керамический конденсатор 220 пФ 50 В	Murata Electronics North America
		GRM2165C1H221JA01D		Керамический конденсатор 220 пФ 50 В	MUR	13 785	1.96  >100 шт.   0.98
		GRM2165C1H221JA01D		Керамический конденсатор 220 пФ 50 В
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А		40 800	3.60
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	КИТАЙ
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	HOTTECH	177 459	2.87
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	INFINEON
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	HUASHUO	21 150	5.02
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	KLS
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	YOUTAI	105 446	2.77
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	UMW	8 800	3.10
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	SUNTAN	23 738	8.27
		КФ1211ЕУ1		Специализированный контроллер электронных пускорегулирующих аппаратов (ЭПРА) для ...			89.28
		КФ1211ЕУ1		Специализированный контроллер электронных пускорегулирующих аппаратов (ЭПРА) для ...	ДОДЭКА

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"