MMBTH10LT1G
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25V |
| Frequency - Transition | 650MHz |
| Power - Max | 225mW |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 4mA, 10V |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Product Change Notification | Possible Adhesion Issue 11/July/2008 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
MMBTH10LT1G VHF / UHF Transistor NPN Silicon
Производитель:
|
