IRF7832TR
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 20A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 20A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.32V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 51nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 4310pF @ 15V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BAV70 TP | MCC |
|
|
|||||
| IRLML6344TR | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|||||
| IRLML6344TR |
|
55.80 | ||||||
| IRLML6344TR | INFINEON |
|
|
|||||
| IRLML6344TR | HOTTECH |
|
|
|||||
| IRLML6344TR | KLS |
|
|
|||||
| IRLML6344TR | VBSEMI | 4 000 | 9.30 | |||||
| IRLML6344TR | TR |
|
|
|||||
| IRLML6344TR | TRR | 1 120 | 4.13 | |||||
| L78L05ABD13TR | ST MICROELECTRONICS | 3 163 | 32.32 | |||||
| L78L05ABD13TR | 8 367 | 6.83 | ||||||
| L78L05ABD13TR | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
|||||
| L78L05ABD13TR | STMICROELECTRONICS | 40 099 | 6.16 | |||||
| L78L05ABD13TR | КИТАЙ |
|
|
|||||
| L78L05ABD13TR | ST MICROELECTRO |
|
|
|||||
| L78L05ABD13TR | STMICROELECTR |
|
|
|||||
| L78L05ABD13TR | 0.00 |
|
|
|||||
| L78L05ABD13TR | 4-7 НЕДЕЛЬ | 202 |
|
|||||
| T73 12VDC (833H) 10A | 332 | 30.83 | ||||||
| T73 12VDC (833H) 10A | КИТАЙ |
|
|
|||||
| T73 12VDC (833H) 10A | RUICHI |
|
|
|||||
| ФОТОРЕЗИСТ 300Х1000 ММ |
|
743.60 |
