|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29 mOhm @ 5A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 10µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 6.8nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 650pF @ 25V |
| Power - Max | 1.3W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23 |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2200МКФ6.3В10X21105°C | JAMICON | 80 | 28.89 | |||||
| 2EDGK-5.0-06P-14-00AH | DEGSON ELECTRONICS |
|
|
|||||
| 2EDGK-5.0-06P-14-00AH |
|
|
||||||
| 3266W-1-102 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 1 кОм 1/4`` | BOURNS |
|
|
|||
| 3266W-1-102 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 1 кОм 1/4`` | BARONS |
|
|
|||
| 3266W-1-102 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 1 кОм 1/4`` | BI TECHNOLOGIES |
|
|
|||
| 3266W-1-102 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 1 кОм 1/4`` |
|
51.12 | ||||
| 3266W-1-102 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 1 кОм 1/4`` | Bourns Inc |
|
|
|||
| 3266W-1-102 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 1 кОм 1/4`` | КИТАЙ |
|
|
|||
| 3266W-1-102 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 1 кОм 1/4`` | BOCHEN |
|
|
|||
| BC847B SOT-23 | PHILIPS |
|
|
|||||
| BC847B SOT-23 | HOTTECH |
|
|
|||||
| BC847B SOT-23 |
|
|
||||||
| BC847B SOT-23 | YIXING |
|
|
|||||
| BC847B SOT-23 | TRR |
|
|
|||||
| BC847B SOT-23 | RUME |
|
|
|||||
| СВЕРЛО 3.0 ММ |
|
45.20 |