GRM155R61A105KE15D
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | GRM |
| Емкость | 1.0µF |
| Номинальное напряжение | 10V |
| Допустимые отклонения емкости | ±10% |
| Температурный коэфициент | X5R |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Рабочая температура | -55°C ~ 85°C |
| Сфера применения | General Purpose |
| Корпус (размер) | 0402 (1005 Metric) |
| Size / Dimension | 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm) |
| Thickness | 0.022" (0.55mm) |
| Тип | Керамический |
| Tolerance | ±10% |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
2SC1923 |
|
Биполярный транзистор NPN 30V, 20mA, 100mW, 550MHz | TOSHIBA |
|
|
|
|
|
|
2SC1923 |
|
Биполярный транзистор NPN 30V, 20mA, 100mW, 550MHz | TOS |
|
|
|
|
|
|
2SC1923 |
|
Биполярный транзистор NPN 30V, 20mA, 100mW, 550MHz |
|
7.52 | ||
|
|
|
2SC1923 |
|
Биполярный транзистор NPN 30V, 20mA, 100mW, 550MHz | NTM |
|
|
|
| BSC076N06NS3 G | INFINEON |
|
|
|||||
| BSC076N06NS3 G | Infineon Technologies |
|
|
|||||
| GRM155R71A104KA01D | MURATA |
|
|
|||||
| GRM155R71A104KA01D | MURATA |
|
|
|||||
| GRM155R71A104KA01D | Murata Electronics North America |
|
|
|||||
| GRM155R71A104KA01D | MUR | 381 317 |
0.60 >1000 шт. 0.12 |
|||||
| GRM155R71A104KA01D |
|
|
||||||
| R0805-2 КОМ |
|
|
||||||
| XC3S50A-4VQG100I | XILINX |
|
|
|||||
| XC3S50A-4VQG100I | Xilinx Inc |
|
|
|||||
| XC3S50A-4VQG100I |
|
|
||||||
| XC3S50A-4VQG100I | XILINX |
|
|
|||||
| XC3S50A-4VQG100I | 4-7 НЕДЕЛЬ | 693 |
|
