| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
167292-1 |
|
|
TE Connectivity
|
|
|
|
|
|
167292-1 |
|
|
TYCO
|
|
|
|
|
|
167292-1 |
|
|
TECONN
|
|
|
|
|
|
167292-1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
GBPC3508 |
|
Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
GBPC3508 |
|
Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
GBPC3508 |
|
Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...
|
|
|
937.60
|
|
|
|
|
GBPC3508 |
|
Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
GBPC3508 |
|
Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
GBPC3508 |
|
Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
|
GBPC3508 |
|
Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
|
GBPC3508 |
|
Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
GBPC3508 |
|
Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
GBPC3508 |
|
Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
GBPC3508 |
|
Диодный мост (V=800В (560 Vrms), I=35А, Ifsm=400A, Vf=1.1V@I=17.5A, -55 to +150C), ...
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
FSC
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
|
|
1 329.60
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
FAIRCHILD
|
4
|
525.21
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4 |
|
Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
KBPC5008 |
|
Мост 50А, 800В
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
KBPC5008 |
|
Мост 50А, 800В
|
|
|
|
|
|
|
KBPC5008 |
|
Мост 50А, 800В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
KBPC5008 |
|
Мост 50А, 800В
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
KBPC5008 |
|
Мост 50А, 800В
|
YJ
|
|
|
|
|
|
KBPC5008 |
|
Мост 50А, 800В
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
KBPC5008 |
|
Мост 50А, 800В
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
РАДИАТОР Р-262 |
|
|
ЛГ
|
|
|
|
|
|
|
РАДИАТОР Р-262 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
РАДИАТОР Р-262 |
|
|
|
|
|
|