Версия для печати
Технические характеристики SQP10AJB-47R

Производитель	Yageo Corporation
Номинальное сопротивление	47 Ом
Допуск сопротивления	±5%
Номинальная мощность	10 Вт
Тип монтажа	Axial
Температурный коэффициент сопротивления	±300ppm/K
Размер корпуса	9.5x9.0x48.0 мм
Рабочая температура	-55...155 °C
	Cement resistor
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	SQP
Сопротивление (Ом)	47
Мощность (Ватт)	10W
Composition	Wirewound
Температурный коэфициент	±300ppm/°C
Допустимые отклонения емкости	±5%
Tolerance	±5%
Size / Dimension	1.890" L x 0.374" W (48.00mm x 9.50mm)
Высота	0.354" (9.00mm)
Number of Terminations	2
Корпус (размер)	Axial

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Резисторы

 » 

Для навесного монтажа

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		GBPC3508W-E4/51			VISHAY
		GBPC3508W-E4/51			Vishay/General Semiconductor
		HGTG30N60A4		Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт	FAIR
		HGTG30N60A4		Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт	FSC
		HGTG30N60A4		Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт			1 329.60
		HGTG30N60A4		Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт	Fairchild Semiconductor
		HGTG30N60A4		Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт	КИТАЙ
		HGTG30N60A4		Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт	FAIRCHILD
		HGTG30N60A4		Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт	ONS
		HGTG30N60A4		Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт	ONS-FAIR
		HGTG30N60A4		Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт	ON SEMICONDUCTOR
		LM317AT		Регулируемый линейный СН (Vout=1.2-37V, Vref=1.25V, tol=1%, Io=1.5A(max), Vinmax=35V)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM317AT		Регулируемый линейный СН (Vout=1.2-37V, Vref=1.25V, tol=1%, Io=1.5A(max), Vinmax=35V)	NSC
		LM317AT		Регулируемый линейный СН (Vout=1.2-37V, Vref=1.25V, tol=1%, Io=1.5A(max), Vinmax=35V)			130.40
		LM317AT		Регулируемый линейный СН (Vout=1.2-37V, Vref=1.25V, tol=1%, Io=1.5A(max), Vinmax=35V)	NATIONAL SEMICONDUCTOR	1
		LM317AT		Регулируемый линейный СН (Vout=1.2-37V, Vref=1.25V, tol=1%, Io=1.5A(max), Vinmax=35V)	TEXAS INSTRUMENTS
		LM317AT		Регулируемый линейный СН (Vout=1.2-37V, Vref=1.25V, tol=1%, Io=1.5A(max), Vinmax=35V)	HGSEMI	1 352	22.51
		LM317AT		Регулируемый линейный СН (Vout=1.2-37V, Vref=1.25V, tol=1%, Io=1.5A(max), Vinmax=35V)	4-7 НЕДЕЛЬ	53
		MUR860G		Ультрабыстрый диод 600V 8A	ON SEMICONDUCTOR
		MUR860G		Ультрабыстрый диод 600V 8A	VISHAY
		MUR860G		Ультрабыстрый диод 600V 8A	ONS	985	98.30
		MUR860G		Ультрабыстрый диод 600V 8A			76.64
		MUR860G		Ультрабыстрый диод 600V 8A	ON SEMICONDUCTOR	82
		MUR860G		Ультрабыстрый диод 600V 8A	YJ
		MUR860G		Ультрабыстрый диод 600V 8A	ON SEMICONDUCTO
		MUR860G		Ультрабыстрый диод 600V 8A	ONSEMICONDUCTOR
		MUR860G		Ультрабыстрый диод 600V 8A	1
		STGB14NC60KDT4			ST MICROELECTRONICS
		STGB14NC60KDT4			STMicroelectronics
		STGB14NC60KDT4			КИТАЙ
		STGB14NC60KDT4

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"