SQP10AJB-47R

Версия для печати

Технические характеристики SQP10AJB-47R

Производитель	Yageo Corporation
Номинальное сопротивление	47 Ом
Допуск сопротивления	±5%
Номинальная мощность	10 Вт
Тип монтажа	Axial
Температурный коэффициент сопротивления	±300ppm/K
Размер корпуса	9.5x9.0x48.0 мм
Рабочая температура	-55...155 °C
	Cement resistor
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	SQP
Сопротивление (Ом)	47
Мощность (Ватт)	10W
Composition	Wirewound
Температурный коэфициент	±300ppm/°C
Допустимые отклонения емкости	±5%
Tolerance	±5%
Size / Dimension	1.890" L x 0.374" W (48.00mm x 9.50mm)
Высота	0.354" (9.00mm)
Number of Terminations	2
Корпус (размер)	Axial

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BZX84-C10		FAIR
BZX84-C10		NXP
BZX84-C10		PHILIPS
BZX84-C10		PHILIPS	11 948
BZX84-C10		NXP	2 041
BZX84-C10		KEEN SIDE	1 704	1.02
GBPC3508W-E4/51		VISHAY
GBPC3508W-E4/51		Vishay/General Semiconductor
HGTG30N60A4	Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт	FAIR
HGTG30N60A4	Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт	FSC
HGTG30N60A4	Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт			1 329.60
HGTG30N60A4	Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт	Fairchild Semiconductor
HGTG30N60A4	Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт	КИТАЙ
HGTG30N60A4	Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт	FAIRCHILD	4	525.21
HGTG30N60A4	Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт	ONS
HGTG30N60A4	Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт	ONS-FAIR
HGTG30N60A4	Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт	ON SEMICONDUCTOR
RC0805JR-071K5	Резистор SMD, 0805, 1.5кОм, 0.125Вт, 5%	PHYCOMP
RC0805JR-071K5	Резистор SMD, 0805, 1.5кОм, 0.125Вт, 5%	PHYCOMP
RC0805JR-071K5	Резистор SMD, 0805, 1.5кОм, 0.125Вт, 5%	YAGEO
STGB14NC60KDT4		ST MICROELECTRONICS
STGB14NC60KDT4		STMicroelectronics
STGB14NC60KDT4		КИТАЙ
STGB14NC60KDT4