BZX85C12

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
BZX85C12	11 925	2.71
BZX85C12 (ON SEMICONDUCTOR)	96	5.37
BZX85C12 (SUNMATE)	40 092	4.06
BZX85C12 (HOTTECH)	268	3.25

Версия для печати

Технические характеристики BZX85C12

Current - Reverse Leakage @ Vr	500nA @ 8.4V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.2V @ 200mA
Voltage - Zener (Nom) (Vz)	12V
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Допустимые отклонения емкости	±5%
Power - Max	1W
Impedance (Max) (Zzt)	9 Ohm
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	DO-204AL, DO-41, Axial
Корпус	DO-41
Рабочая температура	-65°C ~ 200°C
Tolerance	±5%

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BZX85C (Стабилитроны)

1.3 W Glass Passivated Zener Diodes

Также в этом файле: BZX85C120GP, BZX85C12GP

Производитель:
Fagor
//www.fagor.com

BZX85C12 datasheet
72.86Kb
4стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
31DQ06	Диод Шоттки 3.3А 60В	VISHAY
31DQ06	Диод Шоттки 3.3А 60В			17.64
31DQ06	Диод Шоттки 3.3А 60В	Vishay/Semiconductors
31DQ06	Диод Шоттки 3.3А 60В	VISHAY	14
31DQ06	Диод Шоттки 3.3А 60В	SMCMICRO	181	13.43
5П14.9В (КР293КП9В)		ПРОТОН
LA4597	Усилитель низкой частоты 2x2.9W (9V/3.2 Ом)	SANYO
LA4597	Усилитель низкой частоты 2x2.9W (9V/3.2 Ом)		1	256.68
LA4597	Усилитель низкой частоты 2x2.9W (9V/3.2 Ом)	SAN
LA4597	Усилитель низкой частоты 2x2.9W (9V/3.2 Ом)	ГЕРМАНИЯ
LA4597	Усилитель низкой частоты 2x2.9W (9V/3.2 Ом)	1
LA4597	Усилитель низкой частоты 2x2.9W (9V/3.2 Ом)	4-7 НЕДЕЛЬ	785
TCA0372DP1G	ИМС	ON SEMICONDUCTOR	704	134.25
TCA0372DP1G	ИМС			109.20
TCA0372DP1G	ИМС	ONS
TCA0372DP1G	ИМС	ON SEMIC
TCA0372DP1G	ИМС	ON SEMICONDUCTO
TCA0372DP1G	ИМС	ONSEMICONDUCTOR
TCA0372DP1G	ИМС	4-7 НЕДЕЛЬ	260
ВПБ6-36В 2А	Вставка плавкая замедленного срабатывания 2А, 600В			37.60