LQH32MN2R2K23L
Индуктивность чип 2.2мкГн, 370мА, 800мОм, 50МГц
|
Индуктивность чип |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | LQH32M |
| Inductance | 2.2µH |
| Current | 370mA |
| Тип | Ferrite Core |
| Допустимые отклонения емкости | ±10% |
| Shielding | Unshielded |
| DC Resistance (DCR) | 800 mOhm Max |
| Q @ Freq | 20 @ 1MHz |
| Self Resonant Freq | 50MHz |
| Корпус (размер) | 1210 (3225 Metric) |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Frequency - Test | 1MHz |
| Material - Core | Ferrite |
| Сфера применения | General Purpose |
| Tolerance | ±10% |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
Индуктивность чип 2.2мкГн, 370мА, 800мОм, 50МГц
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 0805-X5R-25-2.2МКФK | MURATA |
|
|
|||||
| 0805-X5R-25-2.2МКФK | HITANO |
|
|
|||||
| 0805-X5R-25-4.7МКФK | MURATA |
|
|
|||||
| 0805-X5R-25-4.7МКФK | HITANO |
|
|
|||||
| 15EDGVC-3.81-08P-14-00A(H) | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|||||
| 15EDGVC-3.81-08P-14-00A(H) | NXU |
|
|
|||||
| 15EDGVC-3.81-08P-14-00A(H) |
|
|
||||||
| 15EDGVC-3.81-08P-14-00A(H) | DEGSON ELECTRONICS |
|
|
|||||
| BZV55-B12 | NXP |
|
|
|||||
| BZV55-B12 | PHILIPS |
|
|
|||||
| BZV55-B12 | NXP |
|
|
|||||
| BZV55-B12 | PHILIPS |
|
|
|||||
| BZV55-B12 | KEEN SIDE | 324 |
1.74 >100 шт. 0.87 |
|||||
| WSL1206R2000FTB | VISHAY |
|
|
|||||
| WSL1206R2000FTB | VISHAY |
|
|
