MBR120ESFT1G
|
|
Версия для печати
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 20V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 530mV @ 1A |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10µA @ 20V |
| Diode Type | Schottky |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SOD-123F |
| Корпус | SOD-123L |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 293D476X9010B2TE3 |
|
Электролитический танталовый конденсатор 47 мкФ 10 В | VISHAY | 124 974 | 16.34 | |||
| 293D476X9010B2TE3 |
|
Электролитический танталовый конденсатор 47 мкФ 10 В | SPRAGUE |
|
|
|||
| 293D476X9010B2TE3 |
|
Электролитический танталовый конденсатор 47 мкФ 10 В |
|
30.80 | ||||
| 293D476X9010B2TE3 |
|
Электролитический танталовый конденсатор 47 мкФ 10 В | SPRAGUE |
|
|
|||
| 293D476X9010B2TE3 |
|
Электролитический танталовый конденсатор 47 мкФ 10 В | VISHAY |
|
|
|||
| 293D476X9010B2TE3 |
|
Электролитический танталовый конденсатор 47 мкФ 10 В | Vishay/Sprague |
|
|
|||
| 293D476X9010B2TE3 |
|
Электролитический танталовый конденсатор 47 мкФ 10 В | VISНAY |
|
|
|||
| AD7450ARMZ | ANALOG DEVICES |
|
|
|||||
| AD7450ARMZ |
|
|
||||||
| AD7450ARMZ | 4-7 НЕДЕЛЬ | 656 |
|
|||||
 |
 |
BSS123A |
|
N-channel enhancement mode vertical dmos fet | DIODES |
|
|
|
|
|
RT9013-33GB |
|
Richtek USA Inc |
|
|
|||
|
|
RT9013-33GB |
|
|
|
||||
|
|
RT9013-33GB |
|
4-7 НЕДЕЛЬ | 375 |
|
|||
| STTH1R06 | ST MICROELECTRONICS | 1 224 | 4.57 | |||||
| STTH1R06 | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| STTH1R06 | КИТАЙ |
|
|
|||||
| STTH1R06 | ST MICROELECTRONICS SEMI | 1 230 |
|
|||||
| STTH1R06 |
|
|
