MBR120ESFT1G
|
|
Версия для печати
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 20V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 530mV @ 1A |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10µA @ 20V |
| Diode Type | Schottky |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SOD-123F |
| Корпус | SOD-123L |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BAV99S.115 | NXP |
|
|
|||||
| BAV99S.115 | NEX-NXP |
|
|
|||||
| BAV99S.115 |
|
|
||||||
| CC0603KRX7R9BB153 |
|
Керамический конденсатор 0.015 мкФ 50 В | YAGEO | 2 267 647 |
0.90 >1000 шт. 0.18 |
|||
| CC0603KRX7R9BB153 |
|
Керамический конденсатор 0.015 мкФ 50 В | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|||
| CC0603KRX7R9BB153 |
|
Керамический конденсатор 0.015 мкФ 50 В |
|
|
||||
| J2MRM4F1 | YENG TAT | 424 | 33.06 | |||||
| J2MRM4F1 |
|
|
||||||
| J2MRM6F1 | YENG TAT | 648 | 42.36 | |||||
| J2MRM6F1 |
|
|
||||||
 |
 |
ZX62D-AB-5P8 |
|
Hirose Electric Co Ltd |
|
|
