| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 100mA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 75V |
| Current - Average Rectified (Io) | 300mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5µA @ 75V |
| Diode Type | Standard |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 4ns |
| Capacitance @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Корпус | DO-35 |
| Product Change Notification | Marking Format Change 15/Aug/2008 |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
1210-LQH32M10UHJ |
|
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
|
44 720
|
56.70
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ОРБИТА
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
БРЕСТ
|
911
|
63.60
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ЦВЕТОТРОН
|
174
|
77.60
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
САРАНСК
|
169
|
63.60
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
1527
|
|
|
|
|
|
HC49U-4.000MHZ |
|
Кварцевый резонатор выводной 4 МГц
|
KDS
|
|
|
|
|
|
HC49U-4.000MHZ |
|
Кварцевый резонатор выводной 4 МГц
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
IRLML2402 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (20V, 1.2A, 0.54W)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
800
|
26.55
|
|
|
|
IRLML2402 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (20V, 1.2A, 0.54W)
|
|
240
|
2.75
|
|
|
|
IRLML2402 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (20V, 1.2A, 0.54W)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
28
|
|
|
|
|
IRLML2402 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (20V, 1.2A, 0.54W)
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRLML2402 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (20V, 1.2A, 0.54W)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML2402 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (20V, 1.2A, 0.54W)
|
HOTTECH
|
356 950
|
1.93
|
|
|
|
IRLML2402 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (20V, 1.2A, 0.54W)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
IRLML2402 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (20V, 1.2A, 0.54W)
|
YOUTAI
|
|
|
|
|
|
IRLML2402 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (20V, 1.2A, 0.54W)
|
KEEN SIDE
|
21 288
|
2.17
|
|
|
|
IRLML2402 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (20V, 1.2A, 0.54W)
|
21
|
|
|
|
|
|
IRLML2402 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (20V, 1.2A, 0.54W)
|
RUME
|
12 000
|
1.34
|
|
|
|
IRLML2402 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (20V, 1.2A, 0.54W)
|
TRR
|
9 600
|
2.62
|
|
|
|
КД257Д |
|
3А.1000В
|
НПП ТЭЗ
|
|
|
|
|
|
КД257Д |
|
3А.1000В
|
|
439
|
287.04
|
|
|
|
КД257Д |
|
3А.1000В
|
СЗТП
|
|
|
|
|
|
КД257Д |
|
3А.1000В
|
ТЭЗ
|
80
|
245.95
|
|
|
|
КД257Д |
|
3А.1000В
|
ТОМИЛИНО
|
|
|
|