| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
2SD5072 |
|
Фотодиод кремниевый 50В, 125мВт
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
|
2SD5072 |
|
Фотодиод кремниевый 50В, 125мВт
|
|
1
|
409.50
|
|
|
|
|
2SD5072 |
|
Фотодиод кремниевый 50В, 125мВт
|
SAM
|
|
|
|
|
|
|
2SD5072 |
|
Фотодиод кремниевый 50В, 125мВт
|
UNKNOWN
|
|
|
|
|
|
|
2SD5072 |
|
Фотодиод кремниевый 50В, 125мВт
|
|
1
|
409.50
|
|
|
|
|
2SD5072 |
|
Фотодиод кремниевый 50В, 125мВт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
2SD5072 |
|
Фотодиод кремниевый 50В, 125мВт
|
SAVANTIC
|
|
|
|
|
|
|
2SD5072 |
|
Фотодиод кремниевый 50В, 125мВт
|
NO TRADEMARK
|
|
|
|
|
|
|
2SD5072 |
|
Фотодиод кремниевый 50В, 125мВт
|
ISCSEMI
|
|
|
|
|
|
|
CD40106BE |
|
Hex Schmitt Trigger Invert
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
CD40106BE |
|
Hex Schmitt Trigger Invert
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
192
|
50.83
|
|
|
|
|
CD40106BE |
|
Hex Schmitt Trigger Invert
|
|
|
32.20
|
|
|
|
|
CD40106BE |
|
Hex Schmitt Trigger Invert
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
CD40106BE |
|
Hex Schmitt Trigger Invert
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
CD40106BE |
|
Hex Schmitt Trigger Invert
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
|
CD40106BE |
|
Hex Schmitt Trigger Invert
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
592
|
|
|
|
|
|
L272 |
|
ИМС Операционный усилитель 2хкан.
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
L272 |
|
ИМС Операционный усилитель 2хкан.
|
SGS
|
|
|
|
|
|
|
L272 |
|
ИМС Операционный усилитель 2хкан.
|
|
|
214.56
|
|
|
|
|
L272 |
|
ИМС Операционный усилитель 2хкан.
|
SGS THOMSON
|
|
|
|
|
|
|
L272 |
|
ИМС Операционный усилитель 2хкан.
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
L272 |
|
ИМС Операционный усилитель 2хкан.
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
L272 |
|
ИМС Операционный усилитель 2хкан.
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
243
|
|
|
|
|
|
LF356N |
|
1xOP JFET +-18V LN 12V/us DIP8
|
ST MICROELECTRONICS
|
26
|
88.23
|
|
|
|
|
LF356N |
|
1xOP JFET +-18V LN 12V/us DIP8
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LF356N |
|
1xOP JFET +-18V LN 12V/us DIP8
|
|
1
|
162.54
|
|
|
|
|
LF356N |
|
1xOP JFET +-18V LN 12V/us DIP8
|
NSC
|
|
|
|
|
|
|
LF356N |
|
1xOP JFET +-18V LN 12V/us DIP8
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LF356N |
|
1xOP JFET +-18V LN 12V/us DIP8
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
LF356N |
|
1xOP JFET +-18V LN 12V/us DIP8
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
LF356N |
|
1xOP JFET +-18V LN 12V/us DIP8
|
1
|
|
|
|
|
|
|
LF356N |
|
1xOP JFET +-18V LN 12V/us DIP8
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
334
|
|
|
|
|
|
MAC97A8 |
|
Симистор 600В, 0.6A
|
NXP
|
3 344
|
10.60
|
|
|
|
|
MAC97A8 |
|
Симистор 600В, 0.6A
|
PHILIPS
|
8 800
|
10.60
|
|
|
|
|
MAC97A8 |
|
Симистор 600В, 0.6A
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
|
MAC97A8 |
|
Симистор 600В, 0.6A
|
|
7 235
|
2.87
|
|
|
|
|
MAC97A8 |
|
Симистор 600В, 0.6A
|
MOTOROLA
|
480
|
|
|
|
|
|
MAC97A8 |
|
Симистор 600В, 0.6A
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
MAC97A8 |
|
Симистор 600В, 0.6A
|
ON Semiconductor
|
1 024
|
6.95
|
|
|
|
|
MAC97A8 |
|
Симистор 600В, 0.6A
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
|
MAC97A8 |
|
Симистор 600В, 0.6A
|
1
|
|
|
|
|
|
|
MAC97A8 |
|
Симистор 600В, 0.6A
|
10000
|
|
|
|
|
|
|
MAC97A8 |
|
Симистор 600В, 0.6A
|
4180
|
|
|
|
Версия для печати
