2SD5072

Фотодиод кремниевый 50В, 125мВт

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
2SD5072	1	409.50
2SD5072	1	409.50

Полупроводниковые фотоэлементы - фоторезисторы обладают свойством менять свое активное сопротивление под действием падающего на них света. Фоторезисторы имеют высокую чувствительность к излучению в самом широком диапазоне - от инфракрасной до рентгеновской области спектра.
KSD 5072

Версия для печати

Технические характеристики 2SD5072

Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	1500
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	800
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин	8
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц	3
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт	60
Корпус	TO-3PB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Фотодиод кремниевый 50В, 125мВт

2SD5072 datasheet
159,48kB
3стр.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SD1555	Биполярный транзистор NPN+D (1500V, 5A, 50W)	TOSHIBA	26	124.74
2SD1555	Биполярный транзистор NPN+D (1500V, 5A, 50W)		1	509.04
2SD1555	Биполярный транзистор NPN+D (1500V, 5A, 50W)	TOS
2SD1555	Биполярный транзистор NPN+D (1500V, 5A, 50W)	UNKNOWN
2SD1555	Биполярный транзистор NPN+D (1500V, 5A, 50W)	КИТАЙ
2SD1555	Биполярный транзистор NPN+D (1500V, 5A, 50W)	NSC
2SD1555	Биполярный транзистор NPN+D (1500V, 5A, 50W)	ISCSEMI
2SD2333	Биполярный транзистор 80Вт, 600В, 5А, 3МГц	MATSUSHITA	8	204.12
2SD2333	Биполярный транзистор 80Вт, 600В, 5А, 3МГц	NIPPON
2SD2333	Биполярный транзистор 80Вт, 600В, 5А, 3МГц			115.76
2SD2333	Биполярный транзистор 80Вт, 600В, 5А, 3МГц	MAT
2SD2333	Биполярный транзистор 80Вт, 600В, 5А, 3МГц	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
2SD2333	Биполярный транзистор 80Вт, 600В, 5А, 3МГц	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
2SD2333	Биполярный транзистор 80Вт, 600В, 5А, 3МГц	NO TRADEMARK
2SD2333	Биполярный транзистор 80Вт, 600В, 5А, 3МГц	ISCSEMI
2SD2499	Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W		1	167.58
2SD2499	Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W	TOSHIBA
2SD2499	Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W	TOS
2SD2499	Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W	КИТАЙ
2SD2499	Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W	ISCSEMI
LA7841	TV кадpовая pазвеpтка (Ipp=2.2A)	SANYO
LA7841	TV кадpовая pазвеpтка (Ipp=2.2A)		5	75.60
LA7841	TV кадpовая pазвеpтка (Ipp=2.2A)	SAN
LA7841	TV кадpовая pазвеpтка (Ipp=2.2A)	ГЕРМАНИЯ
LA7841	TV кадpовая pазвеpтка (Ipp=2.2A)	1
LA7841	TV кадpовая pазвеpтка (Ipp=2.2A)	4-7 НЕДЕЛЬ	302
TDA7386	Усилитель низкой частоты 4x28W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x45W, Gv=26dB	ST MICROELECTRONICS	36	469.21
TDA7386	Усилитель низкой частоты 4x28W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x45W, Gv=26dB			470.48
TDA7386	Усилитель низкой частоты 4x28W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x45W, Gv=26dB	STMicroelectronics
TDA7386	Усилитель низкой частоты 4x28W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x45W, Gv=26dB	СИНГАПУР
TDA7386	Усилитель низкой частоты 4x28W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x45W, Gv=26dB	ST1
TDA7386	Усилитель низкой частоты 4x28W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x45W, Gv=26dB	4-7 НЕДЕЛЬ	441