LF356N

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
LF356N (ST MICROELECTRONICS)	26	83.16
LF356N	1	162.54
LF356N (4-7 НЕДЕЛЬ)	334	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики LF356N

Корпус	8-MDIP
Корпус (размер)	8-DIP (0.300", 7.62mm)
Тип монтажа	Выводной
Рабочая температура	0°C ~ 70°C
Напряжение-выходное, Single/Dual (±)	10 V ~ 36 V, ±5 V ~ 18 V
Ток выходной	5mA
Напряжение входного смещения	3000µV
Ток - входного смещения	30pA
Полоса пропускания	5MHz
Скорость нарастания выходного напряжения	12 V/µs
Число каналов	1
Тип усилителя	J-FET
Серия	BI-FET™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

LFxxx

WIDE BANDWIDTH SINGLE J-FET OPERATIONAL AMPLIFIERS

Также в этом файле: LF356N

Производитель:
STMicroelectronics
//www.st.com

LF356N datasheet
251.55Kb
14стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
3266W 100K			920	24.24
AT24C02B-10PU-1.8		ATMEL	40	35.91
AT24C02B-10PU-1.8				29.60
AT24C02B-10PU-1.8		ATMEL CORPORATION
AT24C02B-10PU-1.8		MICRO CHIP
AT24C02B-10PU-1.8		4-7 НЕДЕЛЬ	600
L272	ИМС Операционный усилитель 2хкан.	ST MICROELECTRONICS
L272	ИМС Операционный усилитель 2хкан.	SGS
L272	ИМС Операционный усилитель 2хкан.			214.56
L272	ИМС Операционный усилитель 2хкан.	SGS THOMSON
L272	ИМС Операционный усилитель 2хкан.	STMicroelectronics
L272	ИМС Операционный усилитель 2хкан.	ST MICROELECTRONICS SEMI
L272	ИМС Операционный усилитель 2хкан.	4-7 НЕДЕЛЬ	243
LF356M		ST MICROELECTRONICS
LF356M		NATIONAL SEMICONDUCTOR
LF356M		NSC
LF356M				44.32
LF356M		NATIONAL SEMICONDUCTOR	19
LF356M		TEXAS INSTRUMENTS
LF356M		TEXAS
LF356M		4-7 НЕДЕЛЬ	652
МЛТ-0,25-8,2 КОМ-5%			8	5.55