2SD5072
Фотодиод кремниевый 50В, 125мВт
|
Полупроводниковые фотоэлементы - фоторезисторы обладают свойством менять свое активное сопротивление под действием падающего на них света. Фоторезисторы имеют высокую чувствительность к излучению в самом широком диапазоне - от инфракрасной до рентгеновской области спектра. |
Версия для печати
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 1500 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 800 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 5 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 8 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 60 |
| Корпус | TO-3PB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
Фотодиод кремниевый 50В, 125мВт
|
