|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
CD4011BCN |
|
Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND GATE -40/+85 C
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
CD4011BCN |
|
Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND GATE -40/+85 C
|
|
|
|
|
|
|
CD4011BCN |
|
Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND GATE -40/+85 C
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
CD4011BCN |
|
Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND GATE -40/+85 C
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
CD4011BCN |
|
Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND GATE -40/+85 C
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
CD4011BCN |
|
Стандартная логика QUAD 2-INPUT NAND GATE -40/+85 C
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
769
|
|
|
|
|
HSMG-C170 |
|
Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled
|
AGILENT TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
HSMG-C170 |
|
Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled
|
AVAGO
|
|
|
|
|
|
HSMG-C170 |
|
Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled
|
AGILENT TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
HSMG-C170 |
|
Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled
|
AVAGO TECHNOLOGIES
|
2 132
|
|
|
|
|
HSMG-C170 |
|
Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled
|
Avago Technologies US Inc
|
|
|
|
|
|
HSMG-C170 |
|
Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled
|
|
|
|
|
|
|
HSMG-C170 |
|
Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled
|
BRO/AVAG
|
|
|
|
|
|
HSMG-C170 |
|
Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled
|
BROADCOM
|
9 913
|
10.89
|
|
|
|
HSMG-C170 |
|
Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled
|
BROADCOM/AVAGO
|
|
|
|
|
|
HSMG-C170 |
|
Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled
|
AVAGO/BROAD
|
|
|
|
|
|
HSMG-C170 |
|
Субминиатюрный светодиод в корпусе chipled
|
AVAGO/BROADCOM
|
26
|
12.40
|
|
|
|
RC0805FR-07470RL |
|
Резистор SMD 0805, 470Ом, 0.125Вт, 1%
|
YAGEO
|
389 289
|
0.60
>1000 шт. 0.12
|
|
|
|
RC0805FR-07470RL |
|
Резистор SMD 0805, 470Ом, 0.125Вт, 1%
|
PHYCOMP
|
|
|
|
|
|
RC0805FR-07470RL |
|
Резистор SMD 0805, 470Ом, 0.125Вт, 1%
|
PHYCOMP
|
|
|
|
|
|
RC0805FR-07470RL |
|
Резистор SMD 0805, 470Ом, 0.125Вт, 1%
|
YAGEO
|
45 332
|
|
|
|
|
RC0805FR-07470RL |
|
Резистор SMD 0805, 470Ом, 0.125Вт, 1%
|
|
|
|
|
|
|
КТ315В |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
165 768
|
5.55
|
|
|
|
КТ315В |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
КТ315В |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
|
|
|
|
|
КТ361В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный, высокочастотный
|
|
32 427
|
1.85
|
|
|
|
КТ361В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный, высокочастотный
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
КТ361В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный, высокочастотный
|
КРЕМНИЙ
|
|
|
|
|
|
КТ361В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный, высокочастотный
|
ТОМСК
|
833
|
2.10
|
|