|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BZX55C16 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=16V, Izt-5mA
|
|
908
|
1.26
>500 шт. 0.42
|
|
|
|
BZX55C16 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=16V, Izt-5mA
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX55C16 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=16V, Izt-5mA
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BZX55C16 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=16V, Izt-5mA
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BZX55C16 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=16V, Izt-5mA
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX55C16 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=16V, Izt-5mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C16 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=16V, Izt-5mA
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX55C16 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=16V, Izt-5mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C16 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=16V, Izt-5mA
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BZX55C16 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=16V, Izt-5mA
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
BZX55C16 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=16V, Izt-5mA
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX55C16 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=16V, Izt-5mA
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZX55C16 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=16V, Izt-5mA
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX55C16 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=16V, Izt-5mA
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
BZX55C16 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=16V, Izt-5mA
|
GALAXY ME
|
1 016
|
1.45
|
|
|
|
BZX55C16 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=16V, Izt-5mA
|
TFK
|
|
|
|
|
|
BZX55C16 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=16V, Izt-5mA
|
HOTTECH
|
16 645
|
1.52
|
|
|
|
BZX55C16 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=16V, Izt-5mA
|
BELMAGNETIC
|
5 164
|
1.45
|
|
|
|
BZX55C16 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=16V, Izt-5mA
|
ASEMI
|
2 160
|
1.21
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
|
40 800
|
3.60
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HOTTECH
|
156 182
|
2.82
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HUASHUO
|
16 670
|
5.03
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KLS
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
YOUTAI
|
100 146
|
2.73
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
UMW
|
8 000
|
3.10
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
SUNTAN
|
31 772
|
8.18
|
|
|
|
OP496GSZ |
|
4 Операционный усилитель бипл., вх./вых. размах до шин питания, 0,45 МГц, 0,3 В/мкс, ...
|
ANALOG DEVICES
|
37
|
422.10
|
|
|
|
OP496GSZ |
|
4 Операционный усилитель бипл., вх./вых. размах до шин питания, 0,45 МГц, 0,3 В/мкс, ...
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
OP496GSZ |
|
4 Операционный усилитель бипл., вх./вых. размах до шин питания, 0,45 МГц, 0,3 В/мкс, ...
|
|
|
|
|
|
|
OP496GSZ |
|
4 Операционный усилитель бипл., вх./вых. размах до шин питания, 0,45 МГц, 0,3 В/мкс, ...
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
OP496GSZ |
|
4 Операционный усилитель бипл., вх./вых. размах до шин питания, 0,45 МГц, 0,3 В/мкс, ...
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
OP496GSZ |
|
4 Операционный усилитель бипл., вх./вых. размах до шин питания, 0,45 МГц, 0,3 В/мкс, ...
|
США
|
|
|
|
|
|
OP496GSZ |
|
4 Операционный усилитель бипл., вх./вых. размах до шин питания, 0,45 МГц, 0,3 В/мкс, ...
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
OP496GSZ |
|
4 Операционный усилитель бипл., вх./вых. размах до шин питания, 0,45 МГц, 0,3 В/мкс, ...
|
AD1
|
|
|
|
|
|
OP496GSZ |
|
4 Операционный усилитель бипл., вх./вых. размах до шин питания, 0,45 МГц, 0,3 В/мкс, ...
|
NO NAME
|
|
|
|
|
|
OP496GSZ |
|
4 Операционный усилитель бипл., вх./вых. размах до шин питания, 0,45 МГц, 0,3 В/мкс, ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
765
|
|
|
|
|
КС147А СТ |
|
Стабилитрон КС147А кремниевый малой мощности 4.7В, 3...58 мА.
|
|
|
|
|
|
|
КС147А СТ |
|
Стабилитрон КС147А кремниевый малой мощности 4.7В, 3...58 мА.
|
НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
КС147А СТ |
|
Стабилитрон КС147А кремниевый малой мощности 4.7В, 3...58 мА.
|
НОВОСИБИРСК
|
|
|
|
|
|
КС147А СТ |
|
Стабилитрон КС147А кремниевый малой мощности 4.7В, 3...58 мА.
|
ХАБАРОВСК
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
|
3 738
|
38.64
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
МИНСК
|
14 720
|
46.20
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ИНТЕГРАЛ
|
2 560
|
84.72
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
РОССИЯ
|
30
|
60.91
|
|