|  |  | Наименование |  | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | 
					
                                        						
                                                        |  |  | BAS316/T1 |  |  | NXP |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |  |  | BAS316/T1 |  |  | NEXPERIA |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | CD4001BE |   | Логическая ИС - [DIP-14, 2ИЛИ-НЕ, Uпит: 3...18 В | TEXAS INSTRUMENTS |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | CD4001BE |   | Логическая ИС - [DIP-14, 2ИЛИ-НЕ, Uпит: 3...18 В | ST MICROELECTRONICS |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | CD4001BE |   | Логическая ИС - [DIP-14, 2ИЛИ-НЕ, Uпит: 3...18 В |  |   | 24.00 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | CD4001BE |   | Логическая ИС - [DIP-14, 2ИЛИ-НЕ, Uпит: 3...18 В | TEXAS INSTRUMENTS |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | CD4001BE |   | Логическая ИС - [DIP-14, 2ИЛИ-НЕ, Uпит: 3...18 В | TEXAS |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | CD4001BE |   | Логическая ИС - [DIP-14, 2ИЛИ-НЕ, Uпит: 3...18 В | TEXAS INSTRUMEN |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | CD4001BE |   | Логическая ИС - [DIP-14, 2ИЛИ-НЕ, Uпит: 3...18 В | HGSEMI | 3 134 | 23.64 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | CD4001BE |   | Логическая ИС - [DIP-14, 2ИЛИ-НЕ, Uпит: 3...18 В | 4-7 НЕДЕЛЬ | 428 |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | IRLML6401 |   | Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А | INTERNATIONAL RECTIFIER |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | IRLML6401 |   | Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А |  | 40 800 | 3.15 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | IRLML6401 |   | Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А | КИТАЙ |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | IRLML6401 |   | Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А | HOTTECH | 131 487 | 1.90 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | IRLML6401 |   | Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А | INFINEON |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | IRLML6401 |   | Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А | HUASHUO | 6 128 | 4.26 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | IRLML6401 |   | Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А | KLS |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | IRLML6401 |   | Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А | YOUTAI | 56 295 | 2.02 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | IRLML6401 |   | Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А | UMW | 8 000 | 3.10 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | IRLML6401 |   | Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А | SUNTAN | 24 103 | 5.19 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | IRLML6401 |   | Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А | KEEN SIDE | 26 000 | 2.23 |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |  |  | MIC5205-3.3YM5 TR |   | LDO 1 кан, Uвх=2,5:16 В, Uвых=3,3 В, Iвых=150 мА, Udrop=165 мВ,-40:+125 °С точность ... | MICREL |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |  |  | MIC5205-3.3YM5 TR |   | LDO 1 кан, Uвх=2,5:16 В, Uвых=3,3 В, Iвых=150 мА, Udrop=165 мВ,-40:+125 °С точность ... | Micrel Inc |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |  |  | MIC5205-3.3YM5 TR |   | LDO 1 кан, Uвх=2,5:16 В, Uвых=3,3 В, Iвых=150 мА, Udrop=165 мВ,-40:+125 °С точность ... | MCH/MCRL |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | КТ315Г ЖЕЛТ. |   | Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный усилительный 35В |  |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | КТ315Г ЖЕЛТ. |   | Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный усилительный 35В | НАЛЬЧИК |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | КТ315Г ЖЕЛТ. |   | Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный усилительный 35В | КВАРЦИТ |   |   |  | 
                                                
	
					
                                        						
                                                        |   |   | КТ315Г ЖЕЛТ. |   | Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный усилительный 35В | ТОМСК |   |   |  |