КЭВ-10-1 ГОМ-5%

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BL01RN1A2A2B	Индуктивность для подавления ВЧ-помех.	MURATA
BL01RN1A2A2B	Индуктивность для подавления ВЧ-помех.			16.60
BL01RN1A2A2B	Индуктивность для подавления ВЧ-помех.	MURATA
BL01RN1A2A2B	Индуктивность для подавления ВЧ-помех.	MUR
BL01RN1A2A2B	Индуктивность для подавления ВЧ-помех.	Murata Electronics North America
HER308 (3A 1000V)	диод из серии высокоэффективных диодов с малым временем восстановления
КР531ТЛ3				37.88
КР531ТЛ3		ЭТАЛ
КР531ТЛ3		ЭЛЬТАВ
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		203	29.44
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	1 875	34.12
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	3 892	37.80
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ТРАНЗИСТОР
КТ815Б2