IRFP90N20D

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFP90N20D	168	215.13

Версия для печати

Технические характеристики IRFP90N20D

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	23 mOhm @ 56A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	94A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	270nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	6040pF @ 25V
Power - Max	580W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3 (TO-247AC)
Корпус	TO-247AC

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFP90N20D (Дискретные сигналы)

Power Mosfet

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRFP90N20D datasheet
90.88Kb
8стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
HER308 (3A 1000V)	диод из серии высокоэффективных диодов с малым временем восстановления
L7810CV-DG		ST MICROELECTRONICS
L7810CV-DG
L7810CV-DG		4-7 НЕДЕЛЬ	444
MF-2 9.1M 5%
MF-2 9.1M 5%		КИТАЙ
КР1533ИР26				29.96
КР1533ИР26		МИНСК
КР1533ИР26		RUS
КР1533ИР26		ИНТЕГРАЛ
РЭС 55А РС4.569.600.00.01			64	168.00