КТ815Б2
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
HER308 (3A 1000V) |
|
диод из серии высокоэффективных диодов с малым временем восстановления |
|
|
||
| L7824ABD2T-TR | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| L7824ABD2T-TR | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| L7824ABD2T-TR | КИТАЙ |
|
|
|||||
| L7824ABD2T-TR | 852 | 40.70 | ||||||
| КР531ТЛ3 |
|
37.88 | ||||||
| КР531ТЛ3 | ЭТАЛ |
|
|
|||||
| КР531ТЛ3 | ЭЛЬТАВ |
|
|
|||||
 |
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | 253 | 29.44 | ||
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | КРЕМНИЙ | 1 875 | 34.12 | |
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | БРЯНСК | 3 892 | 37.80 | |
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | МИНСК |
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | ИНТЕГРАЛ |
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | RUS |
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | ТРАНЗИСТОР |
|
|
|
| КЭВ-10-1 ГОМ-5% |
|
|
