IRFP90N20D
Транзистор полевой N-канальный MOSFET +D (200V, 94A, 580W)
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 56A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 94A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 270nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 6040pF @ 25V |
| Power - Max | 580W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-247-3 (TO-247AC) |
| Корпус | TO-247AC |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFP90N20D (Дискретные сигналы) Power Mosfet
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 7805ABD2T (L7805ABD2T) | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| L7810CV-DG | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| L7810CV-DG |
|
|
||||||
| L7810CV-DG | 4-7 НЕДЕЛЬ | 444 |
|
|||||
| MF-2 9.1M 5% |
|
|
||||||
| MF-2 9.1M 5% | КИТАЙ |
|
|
|||||
| WL-16-3300 (JAM) | КИТАЙ |
|
|
|||||
| WL-16-3300 (JAM) | JAMICON |
|
|
|||||
 |
ВП1-2 0.25А | 17 148 | 16.80 | |||||
|
|
ВП1-2 0.25А | РАДИОДЕТАЛЬ |
|
|
