MC34151PG PBF

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SK2611	Транзистор полевой N-MOS 900В, 9A, 150Вт	TOSHIBA
2SK2611	Транзистор полевой N-MOS 900В, 9A, 150Вт	TOS
2SK2611	Транзистор полевой N-MOS 900В, 9A, 150Вт			177.92
2SK2611	Транзистор полевой N-MOS 900В, 9A, 150Вт	КИТАЙ
TLP721F		TOSHIBA
TLP721F		TOS
TLP721F			2	98.28
TLP721F		4-7 НЕДЕЛЬ	132
КТ644А	Транзистор универсальный PNP 60В, 0.6А, 200МГц		164	45.36
КТ644А	Транзистор универсальный PNP 60В, 0.6А, 200МГц	КРЕМНИЙ	34	28.89
КТ644А	Транзистор универсальный PNP 60В, 0.6А, 200МГц	БРЯНСК
КТ644А	Транзистор универсальный PNP 60В, 0.6А, 200МГц	RUS
КТ644А	Транзистор универсальный PNP 60В, 0.6А, 200МГц	РИГА
КТ644А	Транзистор универсальный PNP 60В, 0.6А, 200МГц	КРЕМНИЙ (БРЯНСК)
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	КРЕМНИЙ	49	46.85
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В		238	75.60
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	БРЯНСК
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	МИНСК
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	RUS
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	ИНТЕГРАЛ
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	ТРАНЗИСТОР
ОНЦ-ВГ-4-5/16Р		RUS
ОНЦ-ВГ-4-5/16Р
ОНЦ-ВГ-4-5/16Р		КОПИР

MC34151PG PBF

КАТАЛОГ

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

Микросхемы

Питание

Драйверы MOSFET (внешнее переключение)

С этим товаром покупают: