| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
L7805ACV |
|
ИМС Стабилизатор напряжения 1А, 4,9-5,1В, TO220
|
ST MICROELECTRONICS
|
437
|
69.64
|
|
|
|
L7805ACV |
|
ИМС Стабилизатор напряжения 1А, 4,9-5,1В, TO220
|
|
|
34.80
|
|
|
|
L7805ACV |
|
ИМС Стабилизатор напряжения 1А, 4,9-5,1В, TO220
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
L7805ACV |
|
ИМС Стабилизатор напряжения 1А, 4,9-5,1В, TO220
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
L7805ACV |
|
ИМС Стабилизатор напряжения 1А, 4,9-5,1В, TO220
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
L7805ACV |
|
ИМС Стабилизатор напряжения 1А, 4,9-5,1В, TO220
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
L7805ACV |
|
ИМС Стабилизатор напряжения 1А, 4,9-5,1В, TO220
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
428
|
|
|
|
|
|
RES 0603 10K5 1% |
|
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
|
RES 0603 150K 1% |
|
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
DC COMPONENTS
|
4 936
|
8.44
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
|
7 605
|
5.39
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
GALAXY
|
1
|
14.61
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
КИТАЙ
|
40
|
24.20
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
KLS
|
37
|
11.37
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
MIC
|
131
|
6.75
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
HOTTECH
|
7 960
|
6.85
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
YANGJIE
|
56 800
|
9.29
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
SUNTAN
|
1 036
|
4.75
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
КРЕМНИЙ
|
124
|
39.04
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
|
374
|
33.12
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|