| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
L7805ACV |
|
ИМС Стабилизатор напряжения 1А, 4,9-5,1В, TO220
|
ST MICROELECTRONICS
|
437
|
68.00
|
|
|
|
L7805ACV |
|
ИМС Стабилизатор напряжения 1А, 4,9-5,1В, TO220
|
|
|
34.80
|
|
|
|
L7805ACV |
|
ИМС Стабилизатор напряжения 1А, 4,9-5,1В, TO220
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
L7805ACV |
|
ИМС Стабилизатор напряжения 1А, 4,9-5,1В, TO220
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
L7805ACV |
|
ИМС Стабилизатор напряжения 1А, 4,9-5,1В, TO220
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
L7805ACV |
|
ИМС Стабилизатор напряжения 1А, 4,9-5,1В, TO220
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
L7805ACV |
|
ИМС Стабилизатор напряжения 1А, 4,9-5,1В, TO220
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
428
|
|
|
|
|
|
RES 0603 10K5 1% |
|
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
|
RES 0603 150K 1% |
|
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
DC COMPONENTS
|
29 804
|
9.35
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
|
7 613
|
5.30
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
GALAXY
|
1
|
14.34
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
КИТАЙ
|
40
|
22.68
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
KLS
|
37
|
7.23
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
MIC
|
100
|
11.79
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
HOTTECH
|
10 876
|
6.83
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
YANGJIE
|
56 800
|
9.11
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
SUNTAN
|
977
|
4.74
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
КРЕМНИЙ
|
311
|
35.91
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
|
606
|
33.12
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|