16K1-B50K,L-15KC

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
ЧИП 0805 470K 1%	ЧИП — резистор 0805, 470кОм, 1%	YAGEO
ЧИП 0805 470K 1%	ЧИП — резистор 0805, 470кОм, 1%	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
ЧИП 0805 470K 1%	ЧИП — резистор 0805, 470кОм, 1%	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
CL11 0.047UF 250 V 10%
MCP4901-E/P		MICRO CHIP
MCP4901-E/P		Microchip Technology
MCP4901-E/P
MCP4901-E/P		4-7 НЕДЕЛЬ	359
КТ644А	Транзистор универсальный PNP 60В, 0.6А, 200МГц		172	45.36
КТ644А	Транзистор универсальный PNP 60В, 0.6А, 200МГц	КРЕМНИЙ	426	35.14
КТ644А	Транзистор универсальный PNP 60В, 0.6А, 200МГц	БРЯНСК
КТ644А	Транзистор универсальный PNP 60В, 0.6А, 200МГц	RUS
КТ644А	Транзистор универсальный PNP 60В, 0.6А, 200МГц	РИГА
КТ644А	Транзистор универсальный PNP 60В, 0.6А, 200МГц	КРЕМНИЙ (БРЯНСК)
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	КРЕМНИЙ	311	39.04
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В		414	33.12
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	БРЯНСК
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	МИНСК
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	RUS
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	ИНТЕГРАЛ
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	ТРАНЗИСТОР