STW26NM60

Версия для печати

Технические характеристики STW26NM60

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	MDmesh™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	135 mOhm @ 13A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	30A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	102nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2900pF @ 25V
Power - Max	313W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3
Корпус	TO-247-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STW26NM60 (MOSFET)

N-CHANNEL 600V - 0.125? - 30A TO-247 MDmesh™ MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STW26NM60 datasheet
243.2 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SK1365	Транзистор N-MOS 1000В 7A TO3P-IS	TOSHIBA
2SK1365	Транзистор N-MOS 1000В 7A TO3P-IS	TOS
2SK1365	Транзистор N-MOS 1000В 7A TO3P-IS
HD1750FX	Высоковольтный транзистор 800В, 24А, 75Вт	ST MICROELECTRONICS
HD1750FX	Высоковольтный транзистор 800В, 24А, 75Вт			575.60
HD1750FX	Высоковольтный транзистор 800В, 24А, 75Вт	STMicroelectronics
HD1750FX	Высоковольтный транзистор 800В, 24А, 75Вт	МАЛАЙЗИЯ
HD1750FX	Высоковольтный транзистор 800В, 24А, 75Вт	ST1
HD1750FX	Высоковольтный транзистор 800В, 24А, 75Вт	ST MICROELECTRO
HD1750FX	Высоковольтный транзистор 800В, 24А, 75Вт	4-7 НЕДЕЛЬ	384
KNP-2W-4.7 5%	Резистор постоянный проволочный	YAGEO
KNP-2W-4.7 5%	Резистор постоянный проволочный			7.68
SQP-5W-0.22 5%	Резистор постоянный керамический прямоугольный	TAIWAN
SQP-5W-0.22 5%	Резистор постоянный керамический прямоугольный			9.84
TVP5147PFP		TEXAS INSTRUMENTS
TVP5147PFP			1	1 200.00
TVP5147PFP		TEXAS
TVP5147PFP		4-7 НЕДЕЛЬ	561