| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
BAS316/T1 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BAS316/T1 |
|
|
NEXPERIA
|
|
|
|
 |
 |
CD4001BE |
|
Логическая ИС - [DIP-14, 2ИЛИ-НЕ, Uпит: 3...18 В
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
56
|
35.80
|
|
|
|
|
CD4001BE |
|
Логическая ИС - [DIP-14, 2ИЛИ-НЕ, Uпит: 3...18 В
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
CD4001BE |
|
Логическая ИС - [DIP-14, 2ИЛИ-НЕ, Uпит: 3...18 В
|
|
|
24.00
|
|
|
|
|
CD4001BE |
|
Логическая ИС - [DIP-14, 2ИЛИ-НЕ, Uпит: 3...18 В
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
CD4001BE |
|
Логическая ИС - [DIP-14, 2ИЛИ-НЕ, Uпит: 3...18 В
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
CD4001BE |
|
Логическая ИС - [DIP-14, 2ИЛИ-НЕ, Uпит: 3...18 В
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
|
CD4001BE |
|
Логическая ИС - [DIP-14, 2ИЛИ-НЕ, Uпит: 3...18 В
|
HGSEMI
|
2 701
|
11.78
|
|
|
|
|
CD4001BE |
|
Логическая ИС - [DIP-14, 2ИЛИ-НЕ, Uпит: 3...18 В
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
428
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
|
40 600
|
2.92
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HOTTECH
|
300 750
|
2.58
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HUASHUO
|
13 074
|
8.02
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
YOUTAI
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
UMW
|
40
|
3.10
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
SUNTAN
|
20 106
|
5.15
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KEEN SIDE
|
8 892
|
2.15
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
2386
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KEXIN
|
7 200
|
2.81
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
RUME
|
91 200
|
3.16
|
|
|
|
|
MIC5205-3.3YM5 TR |
|
LDO 1 кан, Uвх=2,5:16 В, Uвых=3,3 В, Iвых=150 мА, Udrop=165 мВ,-40:+125 °С точность ...
|
MICREL
|
|
|
|
|
|
|
MIC5205-3.3YM5 TR |
|
LDO 1 кан, Uвх=2,5:16 В, Uвых=3,3 В, Iвых=150 мА, Udrop=165 мВ,-40:+125 °С точность ...
|
Micrel Inc
|
|
|
|
|
|
|
MIC5205-3.3YM5 TR |
|
LDO 1 кан, Uвх=2,5:16 В, Uвых=3,3 В, Iвых=150 мА, Udrop=165 мВ,-40:+125 °С точность ...
|
MCH/MCRL
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г ЖЕЛТ. |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный усилительный 35В
|
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г ЖЕЛТ. |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный усилительный 35В
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г ЖЕЛТ. |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный усилительный 35В
|
КВАРЦИТ
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г ЖЕЛТ. |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный усилительный 35В
|
ТОМСК
|
|
|
|
Версия для печати
