|
|
Версия для печати
| Корпус | SOT-23-3 |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
| Ток выходной | 5mA |
| Ток в рабочей точке(ВАХ) | 70µA |
| Количество каналов | 1 |
| Напряжение входное | 4.3 V ~ 12 V |
| Температурный коэфициент | 50ppm/°C |
| Допустимые отклонения емкости | ±0.1% |
| Напряжение выходное | 4.096V |
| Reference Type | Series, Precision |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Tolerance | ±0.1% |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
ECASD40J107M015K00 |
|
Murata Electronics North America |
|
|
||
|
|
|
ECASD40J107M015K00 |
|
MUR |
|
|
||
|
|
|
ECASD40J107M015K00 |
|
|
|
|||
|
|
|
ECASD40J107M015K00 |
|
MURATA | 8 | 47.53 | ||
|
|
IRLR3110Z | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
||||
|
|
IRLR3110Z |
|
326.40 | |||||
|
|
IRLR3110Z | INFINEON |
|
|
||||
|
|
IRLR3110Z | VBSEMI |
|
|
||||
| MBR120VLSFT1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MBR120VLSFT1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MBR120VLSFT1G | ONS |
|
|
|||||
| MBR120VLSFT1G |
|
|
||||||
|
|
|
PBSS4350T,215 |
|
NXP Semiconductors |
|
|
||
|
|
|
PBSS4350T,215 |
|
NEX |
|
|
||
|
|
|
PBSS4350T,215 |
|
|
|
|||
| PBSS5350T.215 | NXP |
|
|
|||||
| PBSS5350T.215 | NEX-NXP |
|
|
|||||
| PBSS5350T.215 |
|
|
||||||
| PBSS5350T.215 | JSMICRO | 54 992 | 2.28 |