Версия для печати
Технические характеристики KBU6J

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Peak Reverse (Max)	600V
Current - DC Forward (If)	6A
Diode Type	Single Phase
Скорость	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	KBU
Корпус	KBU

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Диоды

 » 

Диодные мосты

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		10BQ060		Диод Шоттки smd (U=60V, If=1A, Ifsm=700A, Vf)	VISHAY
		10BQ060		Диод Шоттки smd (U=60V, If=1A, Ifsm=700A, Vf)	EIC
		10BQ060		Диод Шоттки smd (U=60V, If=1A, Ifsm=700A, Vf)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		10BQ060		Диод Шоттки smd (U=60V, If=1A, Ifsm=700A, Vf)		27 600	1.12
		10BQ060		Диод Шоттки smd (U=60V, If=1A, Ifsm=700A, Vf)	Vishay/Semiconductors
		10BQ060		Диод Шоттки smd (U=60V, If=1A, Ifsm=700A, Vf)	IR/VISHAY
		10BQ060		Диод Шоттки smd (U=60V, If=1A, Ifsm=700A, Vf)	HOTTECH	26 844	6.20
		10BQ060		Диод Шоттки smd (U=60V, If=1A, Ifsm=700A, Vf)	1
		10BQ060		Диод Шоттки smd (U=60V, If=1A, Ifsm=700A, Vf)	SMCMICRO	32	4.20
		10BQ060		Диод Шоттки smd (U=60V, If=1A, Ifsm=700A, Vf)	KEENSIDE
		10BQ060		Диод Шоттки smd (U=60V, If=1A, Ifsm=700A, Vf)	LGE	3 069	7.35
		10BQ060		Диод Шоттки smd (U=60V, If=1A, Ifsm=700A, Vf)	KEEN SIDE	3 630	2.35
		2N5061G		Тиристор 0,8A 60V 3pin	ON SEMICONDUCTOR
		2N5061G		Тиристор 0,8A 60V 3pin			13.40
		2N5061G		Тиристор 0,8A 60V 3pin	ONS
		DB105		Диодный мост 1А 600В DB-1	DC COMPONENTS	8 392	5.02
		DB105		Диодный мост 1А 600В DB-1	MCC
		DB105		Диодный мост 1А 600В DB-1		8 400	2.47
		DB105		Диодный мост 1А 600В DB-1	GALAXY
		DB105		Диодный мост 1А 600В DB-1	Diodes Inc
		DB105		Диодный мост 1А 600В DB-1	Micro Commercial Co
		DB105		Диодный мост 1А 600В DB-1	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		DB105		Диодный мост 1А 600В DB-1	КИТАЙ
		DB105		Диодный мост 1А 600В DB-1	RECTRON	394
		DB105		Диодный мост 1А 600В DB-1	YJ	720	9.30
		DB105		Диодный мост 1А 600В DB-1	KINGTRONICS
		DB105		Диодный мост 1А 600В DB-1	GALAXY ME
		DB105		Диодный мост 1А 600В DB-1	SEMTECH	2 260	15.33
		DB105		Диодный мост 1А 600В DB-1	YANGJIE
		DB105		Диодный мост 1А 600В DB-1	YANGJIE (YJ)
		DB105		Диодный мост 1А 600В DB-1	YANGZHOU YANGJIE
		DB105		Диодный мост 1А 600В DB-1	KEEN SIDE	4 751	2.92
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	VISHAY
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	ST MICROELECTRONICS
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт		296	98.28
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	Vishay/Siliconix
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	STMicroelectronics
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	DMS
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	SILICONIX	18
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	КИТАЙ
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	BLUEROCK	910	19.77
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	1
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	IR/VISHAY	1	29.04
		OP213FS		2 Операционный усилитель бипл./CMOS, 3,4 МГц, 1,2 В/мкс, Uсм = 0,25 мВ, 1,5 мкВ/°С, ...	TEXAS INSTRUMENTS
		OP213FS		2 Операционный усилитель бипл./CMOS, 3,4 МГц, 1,2 В/мкс, Uсм = 0,25 мВ, 1,5 мкВ/°С, ...	ANALOG DEVICES	1	181.50
		OP213FS		2 Операционный усилитель бипл./CMOS, 3,4 МГц, 1,2 В/мкс, Uсм = 0,25 мВ, 1,5 мкВ/°С, ...			314.84
		OP213FS		2 Операционный усилитель бипл./CMOS, 3,4 МГц, 1,2 В/мкс, Uсм = 0,25 мВ, 1,5 мкВ/°С, ...	Analog Devices Inc
		OP213FS		2 Операционный усилитель бипл./CMOS, 3,4 МГц, 1,2 В/мкс, Uсм = 0,25 мВ, 1,5 мкВ/°С, ...	4-7 НЕДЕЛЬ	642

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"