|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BZV55C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
|
89 516
|
1.24
>100 шт. 0.62
|
|
|
|
BZV55C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZV55C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZV55C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZV55C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
HOTTECH
|
121 796
|
1.23
>500 шт. 0.41
|
|
|
|
BZV55C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BZV55C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
OLITECH
|
|
|
|
|
|
BZV55C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
1
|
|
|
|
|
|
BZV55C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
SEMTECH
|
13
|
1.12
|
|
|
|
BZV55C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
DP-9C |
|
Корпус к разъему D-SUB 9 контактов
|
|
16 531
|
9.05
|
|
|
|
DP-9C |
|
Корпус к разъему D-SUB 9 контактов
|
BM
|
|
|
|
|
|
DP-9C |
|
Корпус к разъему D-SUB 9 контактов
|
CONNFLY
|
|
|
|
|
|
DP-9C |
|
Корпус к разъему D-SUB 9 контактов
|
|
16 531
|
9.05
|
|
|
|
DP-9C |
|
Корпус к разъему D-SUB 9 контактов
|
KLS
|
5 120
|
18.60
|
|
|
|
DP-9C |
|
Корпус к разъему D-SUB 9 контактов
|
NXU
|
6 080
|
23.76
|
|
|
|
DP-9C |
|
Корпус к разъему D-SUB 9 контактов
|
RUICHI
|
3 204
|
10.08
|
|
|
|
DP-9C |
|
Корпус к разъему D-SUB 9 контактов
|
CHINA
|
110
|
12.71
|
|
|
|
DP-9C |
|
Корпус к разъему D-SUB 9 контактов
|
КИТАЙ
|
40
|
10.58
|
|
|
|
NCP1406SNT1G |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
NCP1406SNT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
NCP1406SNT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
NCP1406SNT1G |
|
|
|
|
49.96
|
|
|
|
NCP1406SNT1G |
|
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
NCP1406SNT1G |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
787
|
|
|
|
|
SGB15N60HS |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) с низкими потерями проводимости ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
SGB15N60HS |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) с низкими потерями проводимости ...
|
|
|
360.00
|
|
|
|
SGB15N60HS |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) с низкими потерями проводимости ...
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
STTH30R03CG |
|
Выпрямительный диод сверхбыстрый с накоплением заряда D2PAK/TO-247, 300 В, 15А, 35нс
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
STTH30R03CG |
|
Выпрямительный диод сверхбыстрый с накоплением заряда D2PAK/TO-247, 300 В, 15А, 35нс
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STTH30R03CG |
|
Выпрямительный диод сверхбыстрый с накоплением заряда D2PAK/TO-247, 300 В, 15А, 35нс
|
|
|
|
|
|
|
STTH30R03CG |
|
Выпрямительный диод сверхбыстрый с накоплением заряда D2PAK/TO-247, 300 В, 15А, 35нс
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|