| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4731A |
|
Стабилитрон 4.3В, 1Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4731A |
|
Стабилитрон 4.3В, 1Вт
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
1N4731A |
|
Стабилитрон 4.3В, 1Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
1N4731A |
|
Стабилитрон 4.3В, 1Вт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4731A |
|
Стабилитрон 4.3В, 1Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4731A |
|
Стабилитрон 4.3В, 1Вт
|
|
6 580
|
1.79
|
|
|
|
1N4731A |
|
Стабилитрон 4.3В, 1Вт
|
DC COMPONENTS
|
800
|
10.93
|
|
|
|
1N4731A |
|
Стабилитрон 4.3В, 1Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4731A |
|
Стабилитрон 4.3В, 1Вт
|
FAIRCHILD
|
35
|
|
|
|
|
1N4731A |
|
Стабилитрон 4.3В, 1Вт
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
1N4731A |
|
Стабилитрон 4.3В, 1Вт
|
NXP
|
2 856
|
|
|
|
|
1N4731A |
|
Стабилитрон 4.3В, 1Вт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
23 212
|
|
|
|
|
1N4731A |
|
Стабилитрон 4.3В, 1Вт
|
PHILIPS
|
13 332
|
|
|
|
|
1N4731A |
|
Стабилитрон 4.3В, 1Вт
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4731A |
|
Стабилитрон 4.3В, 1Вт
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4731A |
|
Стабилитрон 4.3В, 1Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N4731A |
|
Стабилитрон 4.3В, 1Вт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N4731A |
|
Стабилитрон 4.3В, 1Вт
|
YJ
|
|
|
|
|
|
1N4731A |
|
Стабилитрон 4.3В, 1Вт
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
418
|
3.75
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
5 503
|
1.70
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DC COMPONENTS
|
21 899
|
1.37
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
185
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
15 485
|
1.42
>100 шт. 0.71
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
1 100
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIODES INCORPORATED
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
HOTTECH
|
327 372
|
1.24
>100 шт. 0.62
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YJ
|
527 375
|
1.68
>100 шт. 0.84
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
CJ
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JSCJ
|
40 900
|
1.30
>100 шт. 0.65
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE
|
4 800
|
1.46
>100 шт. 0.73
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JINGDAO
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
TWGMC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
MDD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PLINGSEMIC
|
153 976
|
1.06
>100 шт. 0.53
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SLKOR
|
96
|
1.14
>100 шт. 0.57
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KEEN SIDE
|
125 129
|
1.16
>100 шт. 0.58
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
1700
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
2209
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
3000
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
208619
|
1
|
1.28
>100 шт. 0.64
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
416
|
1
|
1.40
>100 шт. 0.70
|
|
|
|
IR2125 |
|
Одноканальный драйвер с ограничением тока 500В, 1А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
6
|
316.22
|
|
|
|
IR2125 |
|
Одноканальный драйвер с ограничением тока 500В, 1А
|
|
|
264.76
|
|
|
|
IR2125 |
|
Одноканальный драйвер с ограничением тока 500В, 1А
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
IR2125 |
|
Одноканальный драйвер с ограничением тока 500В, 1А
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IR2125 |
|
Одноканальный драйвер с ограничением тока 500В, 1А
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
714
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
|
272
|
98.28
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
DMS
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
SILICONIX
|
18
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
BLUEROCK
|
1 363
|
24.39
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
1
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
IR/VISHAY
|
1
|
30.01
|
|
|
|
OP213FS |
|
2 Операционный усилитель бипл./CMOS, 3,4 МГц, 1,2 В/мкс, Uсм = 0,25 мВ, 1,5 мкВ/°С, ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
OP213FS |
|
2 Операционный усилитель бипл./CMOS, 3,4 МГц, 1,2 В/мкс, Uсм = 0,25 мВ, 1,5 мкВ/°С, ...
|
ANALOG DEVICES
|
1
|
187.58
|
|
|
|
OP213FS |
|
2 Операционный усилитель бипл./CMOS, 3,4 МГц, 1,2 В/мкс, Uсм = 0,25 мВ, 1,5 мкВ/°С, ...
|
|
|
314.84
|
|
|
|
OP213FS |
|
2 Операционный усилитель бипл./CMOS, 3,4 МГц, 1,2 В/мкс, Uсм = 0,25 мВ, 1,5 мкВ/°С, ...
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
OP213FS |
|
2 Операционный усилитель бипл./CMOS, 3,4 МГц, 1,2 В/мкс, Uсм = 0,25 мВ, 1,5 мкВ/°С, ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
642
|
|
|