| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
BSR15 |
|
Транзистор биполярный SMD
|
|
96
|
4.24
|
|
|
|
|
BSR15 |
|
Транзистор биполярный SMD
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
BSR15 |
|
Транзистор биполярный SMD
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BSR15 |
|
Транзистор биполярный SMD
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BSR15 |
|
Транзистор биполярный SMD
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
BSR15 |
|
Транзистор биполярный SMD
|
FAIRCHILD
|
8 992
|
|
|
|
|
|
BSR15 |
|
Транзистор биполярный SMD
|
PHILIPS
|
35 139
|
|
|
|
|
|
BSR15 |
|
Транзистор биполярный SMD
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
BSR15 |
|
Транзистор биполярный SMD
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
BSR15 |
|
Транзистор биполярный SMD
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
BSR15 |
|
Транзистор биполярный SMD
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
BSR15 |
|
Транзистор биполярный SMD
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BZV55C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
|
88 596
|
1.26
>100 шт. 0.63
|
|
|
|
BZV55C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZV55C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZV55C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZV55C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
HOTTECH
|
14 654
|
1.18
>100 шт. 0.59
|
|
|
|
BZV55C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BZV55C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
OLITECH
|
|
|
|
|
|
BZV55C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
1
|
|
|
|
|
|
BZV55C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
SEMTECH
|
13
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|
|
|
BZV55C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BZV55C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
XXW
|
315 381
|
1.47
>500 шт. 0.49
|
|
|
|
|
CA025M4R70REB-0405 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 4.7 мкФ 25 В
|
YAGEO
|
31 616
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
|
CA025M4R70REB-0405 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 4.7 мкФ 25 В
|
|
|
3.60
|
|
|
|
|
CA025M4R70REB-0405 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 4.7 мкФ 25 В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
SGB15N60HS |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) с низкими потерями проводимости ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
SGB15N60HS |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) с низкими потерями проводимости ...
|
|
|
360.00
|
|
|
|
SGB15N60HS |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) с низкими потерями проводимости ...
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
STTH30R03CG |
|
Выпрямительный диод сверхбыстрый с накоплением заряда D2PAK/TO-247, 300 В, 15А, 35нс
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
STTH30R03CG |
|
Выпрямительный диод сверхбыстрый с накоплением заряда D2PAK/TO-247, 300 В, 15А, 35нс
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STTH30R03CG |
|
Выпрямительный диод сверхбыстрый с накоплением заряда D2PAK/TO-247, 300 В, 15А, 35нс
|
|
|
|
|
|
|
STTH30R03CG |
|
Выпрямительный диод сверхбыстрый с накоплением заряда D2PAK/TO-247, 300 В, 15А, 35нс
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|