| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BZV55C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
|
88 596
|
1.26
>100 шт. 0.63
|
|
|
|
BZV55C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZV55C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZV55C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZV55C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
HOTTECH
|
192 115
|
1.04
>100 шт. 0.52
|
|
|
|
BZV55C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BZV55C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
OLITECH
|
|
|
|
|
|
BZV55C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
1
|
|
|
|
|
|
BZV55C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
SEMTECH
|
13
|
1.28
>100 шт. 0.64
|
|
|
|
BZV55C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BZV55C5V1 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м
|
XXW
|
218 286
|
1.44
>500 шт. 0.48
|
|
|
|
|
CRCW08051M00FKEA |
|
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
CRCW08051M00FKEA |
|
|
VISHAY
|
2 580
|
|
|
|
|
|
CRCW08051M00FKEA |
|
|
Vishay/Dale
|
|
|
|
|
|
|
CRCW08051M00FKEA |
|
|
|
|
|
|
|
|
LM211D |
|
Компаратор стробируемый
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM211D |
|
Компаратор стробируемый
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM211D |
|
Компаратор стробируемый
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
LM211D |
|
Компаратор стробируемый
|
SGS
|
|
|
|
|
|
LM211D |
|
Компаратор стробируемый
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM211D |
|
Компаратор стробируемый
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
LM211D |
|
Компаратор стробируемый
|
|
40
|
23.32
|
|
|
|
LM211D |
|
Компаратор стробируемый
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
LM211D |
|
Компаратор стробируемый
|
SGS THOMSON
|
|
|
|
|
|
LM211D |
|
Компаратор стробируемый
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM211D |
|
Компаратор стробируемый
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
LM211D |
|
Компаратор стробируемый
|
TI/ST
|
|
|
|
|
|
LM211D |
|
Компаратор стробируемый
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM211D |
|
Компаратор стробируемый
|
ST MICROELECT
|
|
|
|
|
|
LM211D |
|
Компаратор стробируемый
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
260
|
|
|
|
|
SGB15N60HS |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) с низкими потерями проводимости ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
SGB15N60HS |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) с низкими потерями проводимости ...
|
|
|
360.00
|
|
|
|
SGB15N60HS |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) с низкими потерями проводимости ...
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
STTH30R03CG |
|
Выпрямительный диод сверхбыстрый с накоплением заряда D2PAK/TO-247, 300 В, 15А, 35нс
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
STTH30R03CG |
|
Выпрямительный диод сверхбыстрый с накоплением заряда D2PAK/TO-247, 300 В, 15А, 35нс
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STTH30R03CG |
|
Выпрямительный диод сверхбыстрый с накоплением заряда D2PAK/TO-247, 300 В, 15А, 35нс
|
|
|
|
|
|
|
STTH30R03CG |
|
Выпрямительный диод сверхбыстрый с накоплением заряда D2PAK/TO-247, 300 В, 15А, 35нс
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|