Версия для печати
Технические характеристики FCA20N60

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	SuperFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190 mOhm @ 10A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	20A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	98nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3080pF @ 25V
Power - Max	208W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-3PN
Корпус	TO-3PN

FCA20N60 (MOSFET) 600V N-Channel MOSFET Производитель: Fairchild Semiconductor FCA20N60 datasheet 971.1 Кб

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	MICRO SEMICONDUCTOR
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	FAIR
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	TAIWAN SEMICONDUCTOR
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	DC COMPONENTS	11 988	4.28
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	ST MICROELECTRONICS
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	RFE INTERNATIONAL
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	SMK
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	FAIRCHILD
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	RF ELECT/RFE INTERNATIONAL
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	FAIRCHILD
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	RF ELECT./RFE INTERNATIONAL
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	Fairchild Semiconductor
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	STMicroelectronics
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	КИТАЙ	820	9.45
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	YJ	1 092	4.14
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)		8 000	4.21
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	KINGTRONICS	44	5.08
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	ONS
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	GOOD-ARK
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	MIC	23	6.09
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	YANGJIE
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	YANGJIE (YJ)
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	KLS
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	YANGZHOU YANGJIE
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	KEEN SIDE	1 212	2.82
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	SAMSUNG
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ST MICROELECTRONICS
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	DC COMPONENTS	3 890	1.84
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	FAIR
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	UTC
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ИНТЕГРАЛ	400	11.34
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	DIOTEC	3 050	3.47
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	FAIRCHILD
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	KOREA ELECTRONICS CORPORATION
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	MOTOROLA
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ON SEMICONDUCTOR
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	OTHER
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	PHILIPS
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	SAMSUNG
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	STMicroelectronics
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	КИТАЙ
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	FSC
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	KEC AMERICA (USD)
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...		10 927	1.10  >100 шт.   0.55
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ONS-FAIR
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ON SEMICONDUCTOR	8	11.34
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	CJ	4	2.34
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	KEEN SIDE	487	1.40  >100 шт.   0.70
		2SA1015		Транзистор PNP 50V, 150mA, 400mW, 80MHz	TOSHIBA
		2SA1015		Транзистор PNP 50V, 150mA, 400mW, 80MHz	CHANGJIANG ELECTRONIC TECH
		2SA1015		Транзистор PNP 50V, 150mA, 400mW, 80MHz	DC COMPONENTS	3 612	1.66
		2SA1015		Транзистор PNP 50V, 150mA, 400mW, 80MHz		11 200	1.10  >100 шт.   0.55
		2SA1015		Транзистор PNP 50V, 150mA, 400mW, 80MHz	TOS
		2SA1015		Транзистор PNP 50V, 150mA, 400mW, 80MHz	CHANGJIANG ELECTRONIC TECH CO	1 220
		2SA1015		Транзистор PNP 50V, 150mA, 400mW, 80MHz	HOTTECH
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	VISHAY	7	44.69
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	ST MICROELECTRONICS
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А		409	24.52
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	ST MICROELECTRONICS SEMI
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	Vishay/Siliconix
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	STMicroelectronics
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	КИТАЙ
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	IR/VISHAY
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	MINOS
		KBPC2504		Мосты диодные 25A 400V	DC COMPONENTS	464	77.33
		KBPC2504		Мосты диодные 25A 400V			154.08
		KBPC2504		Мосты диодные 25A 400V	DC COMPONENTS
		KBPC2504		Мосты диодные 25A 400V	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		KBPC2504		Мосты диодные 25A 400V	MULTICOMP
		KBPC2504		Мосты диодные 25A 400V	SSO

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"