Версия для печати
Технические характеристики CY7C1041DV33-10BVXI

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Формат памяти	RAM
Тип памяти	SRAM - Asynchronous
Объем памяти	4M (256K x 16)
Скорость	10ns
Интерфейс подключения	Parallel
Напряжение питания	3 V ~ 3.6 V
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Корпус (размер)	48-VFBGA
Корпус	48-VFBGA (6x8)

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Память (EEPROM, Flash, RAM)

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1-84953-6			TE Connectivity
		1-84953-6			TYCO
		1-84953-6			TE
		1-84953-6
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	NXP	800	7.56
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	FAIR
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	PHILIPS
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	DC COMPONENTS	4 540	2.21
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	ITT SEMICONDUCTOR
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	DIOTEC	5 851	3.13
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	MCC
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	FAIRCHILD
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	DI
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	FAIRCHILD
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	ITT SEMICONDUCTOR	2 181
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	NXP
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	PHILIPS
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	GALAXY
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	INFINEON
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	STMicroelectronics
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	NXP SEMIC
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	КИТАЙ
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	МАЛАЙЗИЯ
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	INFINEON TECH
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450		4	2.52
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	DIODES
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	HOTTECH	477 263	1.62  >100 шт.   0.81
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	DCCOMPONENTS
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	GALAXY ME
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	SEMTECH
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	LRC
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	KLS
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	SUNTAN	130 157	1.58  >100 шт.   0.79
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	YJ	317 217	1.14
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	TRR
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	1
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	KEFAN
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	SLKOR	184 202	1.04  >100 шт.   0.52
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	NEXPERIA	78 252	1.62
		CC0805KRX7R9BB222		Керамический ЧИП конденсатор 2200 пф, X7R,(10%), 0805	YAGEO	380 239	1.05  >500 шт.   0.35
		CC0805KRX7R9BB222		Керамический ЧИП конденсатор 2200 пф, X7R,(10%), 0805	PHYCOMP
		CC0805KRX7R9BB222		Керамический ЧИП конденсатор 2200 пф, X7R,(10%), 0805			4.00
		CC0805KRX7R9BB222		Керамический ЧИП конденсатор 2200 пф, X7R,(10%), 0805	PHYCOMP
		CC0805KRX7R9BB222		Керамический ЧИП конденсатор 2200 пф, X7R,(10%), 0805	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		CC0805KRX7R9BB222		Керамический ЧИП конденсатор 2200 пф, X7R,(10%), 0805	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		CC1206KRX7R8BB104		Керамический конденсатор 0.1 мкФ 25 В	YAGEO	166 820	1.76  >100 шт.   0.88
		CC1206KRX7R8BB104		Керамический конденсатор 0.1 мкФ 25 В
		IRLML6401TR		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLML6401TR		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А			20.24
		IRLML6401TR		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLML6401TR		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	INFINEON
		IRLML6401TR		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	HOTTECH
		IRLML6401TR		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	VBSEMI
		IRLML6401TR		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	TECH PUB	27	5.49
		IRLML6401TR		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	TRR
		IRLML6401TR		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	YOUTAI	105 152	3.29

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"