|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Формат памяти | EEPROMs - Serial |
| Тип памяти | EEPROM |
| Объем памяти | 64K (8K x 8) |
| Скорость | 400kHz |
| Интерфейс подключения | I²C, 2-Wire Serial |
| Напряжение питания | 2.5 V ~ 5.5 V |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOICN |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AD9288BST-100 |
|
2 560.00 | ||||||
| AD9288BST-100 | 4-7 НЕДЕЛЬ |
|
|
|||||
|
|
|
ADG721BRM |
|
Аналоговый ключ, Ind | ANALOG DEVICES |
|
|
|
|
|
|
ADG721BRM |
|
Аналоговый ключ, Ind | Analog Devices Inc |
|
|
|
|
|
|
ADG721BRM |
|
Аналоговый ключ, Ind | ANALOG DEVICES |
|
|
|
|
|
|
BU808DFH |
|
Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ... | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
BU808DFH |
|
Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ... |
|
182.40 | ||
|
|
|
BU808DFH |
|
Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ... | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
|
|
|
|
BU808DFH |
|
Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ... | ST1 |
|
|
|
|
|
|
CC0603KRX5R6BB475 |
|
Керамический конденсатор 4.7 мкФ, 10 В, 10% | YAGEO | 1 038 967 | 2.03 | |
|
|
|
CC0603KRX5R6BB475 |
|
Керамический конденсатор 4.7 мкФ, 10 В, 10% | 3 184 |
|
||
|
|
|
7815CV (L7815CV) |
|
Линейный cтабилизатор напряжения (Vout=15.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, ... | ST MICROELECTRONICS |
|
|