|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
CC0805KRX7R9BB222 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 2200 пф, X7R,(10%), 0805
|
YAGEO
|
272 005
|
1.02
>500 шт. 0.34
|
|
|
|
CC0805KRX7R9BB222 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 2200 пф, X7R,(10%), 0805
|
PHYCOMP
|
|
|
|
|
|
CC0805KRX7R9BB222 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 2200 пф, X7R,(10%), 0805
|
|
|
4.00
|
|
|
|
CC0805KRX7R9BB222 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 2200 пф, X7R,(10%), 0805
|
PHYCOMP
|
|
|
|
|
|
CC0805KRX7R9BB222 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 2200 пф, X7R,(10%), 0805
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
CC0805KRX7R9BB222 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 2200 пф, X7R,(10%), 0805
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
EPM570T144C5N |
|
CPLD семейства MAX II (570 ЛЭ или 440 эквив. макроячеек (тип.), 240-570 эквив. ...
|
ALTERA
|
54
|
1 283.28
|
|
|
|
EPM570T144C5N |
|
CPLD семейства MAX II (570 ЛЭ или 440 эквив. макроячеек (тип.), 240-570 эквив. ...
|
ALT
|
|
|
|
|
|
EPM570T144C5N |
|
CPLD семейства MAX II (570 ЛЭ или 440 эквив. макроячеек (тип.), 240-570 эквив. ...
|
ALTERA
|
787
|
|
|
|
|
EPM570T144C5N |
|
CPLD семейства MAX II (570 ЛЭ или 440 эквив. макроячеек (тип.), 240-570 эквив. ...
|
|
|
|
|
|
|
EPM570T144C5N |
|
CPLD семейства MAX II (570 ЛЭ или 440 эквив. макроячеек (тип.), 240-570 эквив. ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
714
|
|
|
|
|
IRLML6401TR |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6401TR |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
|
|
20.24
|
|
|
|
IRLML6401TR |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6401TR |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML6401TR |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
IRLML6401TR |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
VBSEMI
|
|
|
|
|
|
IRLML6401TR |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
TECH PUB
|
|
|
|
|
|
IRLML6401TR |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
TRR
|
|
|
|
|
|
IRLML6401TR |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
YOUTAI
|
103 504
|
1.92
|
|
|
|
KXO-V97 100.0 MHZ |
|
Кварцевый генератор 100МГц, тристабильный выход
|
GEYER ELECTRONIC
|
|
|
|
|
|
KXO-V97 100.0 MHZ |
|
Кварцевый генератор 100МГц, тристабильный выход
|
|
|
620.00
|
|
|
|
KXO-V97 100.0 MHZ |
|
Кварцевый генератор 100МГц, тристабильный выход
|
GEYER
|
|
|
|
|
|
STM32F103RBT6TR |
|
Микроконтроллер - [LQFP-64]; Ядро: ARM Cortex-M3, 32-бит; FLASH: 128 КБайт; RAM: 20 ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STM32F103RBT6TR |
|
Микроконтроллер - [LQFP-64]; Ядро: ARM Cortex-M3, 32-бит; FLASH: 128 КБайт; RAM: 20 ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
STM32F103RBT6TR |
|
Микроконтроллер - [LQFP-64]; Ядро: ARM Cortex-M3, 32-бит; FLASH: 128 КБайт; RAM: 20 ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
STM32F103RBT6TR |
|
Микроконтроллер - [LQFP-64]; Ядро: ARM Cortex-M3, 32-бит; FLASH: 128 КБайт; RAM: 20 ...
|
|
1 063
|
270.02
|
|