| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
|
1Д507А |
|
Диоды германиевые микросплавные 30В, 50мкА, 0.1мкс, 0.8пФ
|
|
157
|
4.42
|
|
|
|
|
1Д507А |
|
Диоды германиевые микросплавные 30В, 50мкА, 0.1мкс, 0.8пФ
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
1 200
|
4.20
|
|
|
|
|
1Д507А |
|
Диоды германиевые микросплавные 30В, 50мкА, 0.1мкс, 0.8пФ
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
1Д507А |
|
Диоды германиевые микросплавные 30В, 50мкА, 0.1мкс, 0.8пФ
|
ЭЛЕКС
|
968
|
11.34
|
|
|
|
|
2Д509А |
|
|
|
7 715
|
4.62
|
|
|
|
|
2Д509А |
|
|
БРЕСТ
|
8 655
|
4.20
|
|
|
|
|
2Д509А |
|
|
МИНСК
|
46 673
|
6.30
|
|
|
|
|
2Д509А |
|
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
2Д509А |
|
|
ЦВЕТОТРОН
|
240
|
29.96
|
|
|
|
 |
STP4NK60Z |
|
N-канальный Полевой транзистор MOSFET, VDS,В = 600, ID = 4 A, Ptot
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STP4NK60Z |
|
N-канальный Полевой транзистор MOSFET, VDS,В = 600, ID = 4 A, Ptot
|
|
|
123.56
|
|
|
|
|
STP4NK60Z |
|
N-канальный Полевой транзистор MOSFET, VDS,В = 600, ID = 4 A, Ptot
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
STP4NK60Z |
|
N-канальный Полевой транзистор MOSFET, VDS,В = 600, ID = 4 A, Ptot
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STP4NK60Z |
|
N-канальный Полевой транзистор MOSFET, VDS,В = 600, ID = 4 A, Ptot
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
КП502А |
|
|
|
371
|
29.44
|
|
|
|
|
КП502А |
|
|
МИНСК
|
1 655
|
35.70
|
|
|
|
|
Т142-80-16 (АНАЛОГ) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Т142-80-16 (АНАЛОГ) |
|
|
|
|
|
|
Версия для печати
