| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
IR2151 |
|
Самотактируемый драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IR2151 |
|
Самотактируемый драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, ...
|
|
|
107.20
|
|
|
|
IR2151 |
|
Самотактируемый драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, ...
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
IR2151 |
|
Самотактируемый драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IR2151 |
|
Самотактируемый драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, ...
|
IR/VISHAY
|
121
|
375.15
|
|
|
|
IR2151 |
|
Самотактируемый драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
568
|
|
|
|
|
IRFP460 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFP460 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFP460 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...
|
|
36
|
230.58
|
|
|
|
IRFP460 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IRFP460 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFP460 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRFP460 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRFP460 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
IRFP460 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...
|
VBSEMI
|
|
|
|
|
|
IRFP460 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...
|
JSMICRO
|
1 058
|
78.79
|
|
|
|
MC34063EBN |
|
DC-DC преобразователь интегральный
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MC34063EBN |
|
DC-DC преобразователь интегральный
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MC34063EBN |
|
DC-DC преобразователь интегральный
|
|
|
52.00
|
|
|
|
MC34063EBN |
|
DC-DC преобразователь интегральный
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
MC34063EBN |
|
DC-DC преобразователь интегральный
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
MC34063EBN |
|
DC-DC преобразователь интегральный
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
MC34063EBN |
|
DC-DC преобразователь интегральный
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
532
|
|
|
|
|
КН102Ж |
|
Тиристор кремниевый диффузионный, структуры p-n-p-n, диодный
|
|
3
|
185.98
|
|
|
|
КН102Ж |
|
Тиристор кремниевый диффузионный, структуры p-n-p-n, диодный
|
ТОМИЛИНО
|
|
|
|
|
|
|
Т112-16- 7 |
|
|
|
|
|
|